绝缘栅

作品数：1237被引量：3334H指数：25
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3300 V高性能混合SiC模块研制
《固体电子学研究与进展》2024年第1期13-18,共6页刘艳宏 杨晓菲 王晓丽 荆海燕 刘爽 
国家重点研发计划(2018YFB1201802-3)。
将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGB...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 结型势垒肖特基二极管 混合SiC模块 
一种具有低EMI噪声的低阻空穴路径IGBT被引量：2
《固体电子学研究与进展》2022年第5期347-351,共5页成建兵 刘立强 周嘉诚 吴家旭 李瑛楠 
国家自然科学基金资助项目(61274080)。
为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题,提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结,在开启过程中,较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出,呈现出低阻空穴路径,从而...
关键词：绝缘栅双极晶体管 浮空P区 小电流开启 电磁干扰噪声 
高压IGBT宽安全工作区设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期451-454,共4页高明超 金锐 王耀华 刘江 李立 李翠 吴军民 
国家电网有限公司总部科技项目(52060018009M)。
基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高...
关键词：绝缘栅双极晶体管 饱和电压 关断损耗 反偏安全工作区 短路安全工作区 
ABB HiPak 6500 V IGBT特性参数测试研究
《固体电子学研究与进展》2019年第6期450-454,共5页董妮 王昭 李君伟 
通过研究应用于轨道交通领域的ABB 6 500 V等级的IGBT器件在不同测试条件下动态特性参数的变化趋势,得到IGBT器件在不同结温、不同集电极电流以及不同栅极驱动测试条件下的动态参数。该测试研究可使系统设计者对IGBT器件在损耗、电压、...
关键词：测试 绝缘栅双极型晶体管 动态参数 
1700 V/1200 A Si/SiC混合模块研制与性能对比
《固体电子学研究与进展》2019年第5期371-374,共4页冯科 杨晓菲 王昭 
介绍了一种由Si IGBT与SiC JBS组合封装的Si/SiC混合模块,利用SiC JBS单载流子器件没有反向恢复特性的特点,提升IGBT模块的特性。对Si/SiC混合模块的结构、工艺、测试结果进行了描述,与Si模块相比,在芯片结温为125℃时,Si/SiC混合模块...
关键词：碳化硅 结势垒控制肖特基二极管 绝缘栅双极型晶体管 混合模块 
基于ANSYS及MATLAB的温度场分布对半桥型IGBT器件的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2018年第3期178-183,共6页方佳怡 刘宪云 夏丽 李磊 
国家自然科学基金资助项目(11404039;11404041);教育部第46批留学回国人员科研启动基金资助项目(Nos.【2013】693)
基于ANSYS及MATLAB仿真软件对半桥型IGBT器件的热分布情况进行实验和仿真建模研究。首先对IGBT器件的温度分布进行仿真建模,然后采用红外成像仪和结温测试设备分别进行了实验测量,对仿真结果进行了验证。仿真和实验研究结果表明,在器件...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 有限元分析 矩阵实验室 红外热成像 结温 
具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第2期132-135,共4页王耀华 高明超 刘江 冷国庆 赵哿 金锐 温家良 潘艳 
国家能源应用技术研究及工程示范项目(NY20150703);国家电网公司科技项目(SGRI-GB-71-16-004)
针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低...
关键词：绝缘栅双极晶体管 压接 反偏安全工作区 短路安全工作区 
基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究
《固体电子学研究与进展》2017年第5期345-349,360,共6页张如亮 王彩琳 
国家自然科学基金资助项目(51477137);西安理工大学博士启动金资助项目(211317);西安市产学研协同创新计划资助项目(CXY1501)
Nakagawa-limit是基于硅基极窄台面间距IGBT提出的理论假设,发射极区只有电子电流流过,空穴电流只对电导调制有贡献。分别引入载流子存储层和P-ring结构,通过数值模拟分析方法,研究了改进结构对通态压降的降低情况;引入虚拟元胞结构,更...
关键词：绝缘栅双极晶体管 注入增强 Nakagawa-limit 部分窄Mesa 通态比电阻 
3300 V FS型IGBT器件研制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2017年第4期266-270,298,共6页朱涛 刘江 高明超 冷国庆 赵哿 王耀华 金锐 温家良 潘艳 
国家电网公司科技项目(5455GB160001)
基于现有仿真及工艺平台,设计一款3 300V/50A场截止型绝缘栅双极晶体管器件(FS-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低导通状态的饱和压降。采用二维数值仿真主要研究了FS结...
关键词：场截止型绝缘栅双极晶体管 击穿电压 饱和压降 关断损耗 
PWM整流器中IGBT结温特性的研究
《固体电子学研究与进展》2017年第4期275-278,共4页李雄 李志刚 张强 王存乐 
国家科技支撑计划资助项目(2015BAA09B01);国家自然科学基金资助项目(51377044);河北省科技计划项目(14214503D;13214303D)
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是风电系统中PWM整流器的核心器件,而结温是影响IGBT使用寿命的主要因素,因此有必要对PWM整流器中IGBT工作状态下的结温特性进行研究。文章详细介绍了IGBT模块结构和SVPWM调制策略,设计了PWM整流器中IGBT测温...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 脉冲宽度调制整流器 空间矢量脉宽调制 结温 
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