宽禁带半导体

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导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点
《人工晶体学报》2025年第3期414-419,共6页杨文娟 卜予哲 赛青林 齐红基 
国家重点研发计划(2022YFB3605500)。
β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 位错 X射线形貌分析术 导模法 腐蚀法 
c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
《人工晶体学报》2025年第3期420-425,共6页王子铭 张雅超 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_...
关键词：ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜 
Tb^(3+),Pr^(3+)共掺AlN薄膜的结构与发光特性
《光子学报》2025年第2期209-217,共9页孟河辰 罗璇 王晓丹 徐达 束正栋 曾雄辉 高晓冬 郑树楠 毛红敏 
国家自然科学基金(Nos.61974158,61306004);江苏省自然科学基金(Nos.BK20191456,BK20221263);江苏省“十四五”光学工程重点学科项目(No.2021135);江苏省研究生科研创新计划项目(No.KYCX22_3266)。
通过离子注入法,将Tb^(3+),Pr^(3+)共掺入了AlN薄膜。利用Raman光谱、高分辨薄膜X射线衍射和阴极荧光光谱等进行了结构和发光性质的表征。系统分析了Pr^(3+)的剂量变化对样品的结构、发光性能的影响。研究发现在Tb^(3+)剂量保持一定的...
关键词：氮化铝 宽禁带半导体 阴极荧光 离子注入掺杂 能量传递 
垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征
《人工晶体学报》2025年第2期190-196,共7页黄东阳 黄浩天 潘明艳 徐子骞 贾宁 齐红基 
国家重点研发计划(2022YFB3605502)。
本文采用自主设计的垂直布里奇曼(VB)炉,通过动态模拟与实验深度耦合迭代优化的方法,建立了生长炉模型,通过优化生长炉的温场得到最佳温场,并根据模拟最佳温场对实际温场进行优化改造,成功生长出直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的氧化镓(β-Ga...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 垂直布里奇曼法 晶体生长 高结晶质量 宽禁带半导体 
2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究
《人工晶体学报》2025年第2期197-201,共5页严宇超 王琤 陆昌程 刘莹莹 夏宁 金竹 张辉 杨德仁 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2023C01193);中央高校基本科研业务费(226-2022-00200,226-2022-00250);博士后创新人才支持计划(BX20220264);国家青年拔尖人才支持计划;杭州市领军型创新创业团队引进培育计划(TD2022012)。
本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 晶体生长 直拉法 单晶衬底 掺杂 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第9期I0002-I0003,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料...
关键词：电路与系统 功率半导体 宽禁带半导体材料 战略机遇期 射频器件 快速充电 太赫兹 技术瓶颈 
宽禁带半导体ZnGa_(2)O_(4)研究进展
《人工晶体学报》2024年第8期1289-1301,共13页雷莎莎 龚巧瑞 赵呈春 孙晓慧 杭寅 
宽禁带半导体材料因独特的物理和化学特性,在光电器件等领域展现出巨大的潜力,受到了越来越多的研究和关注。镓酸锌(ZnGa_(2)O_(4))作为一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、结构独特、热稳定性良好等优点,在日盲紫外光电探测、X射线...
关键词：ZnGa_(2)O_(4) 宽禁带半导体 光电性能 制备方法 应用 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第8期I0004-I0005,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第7期I0003-I0004,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 太赫兹 GA2O3 射频器件 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第6期I0007-I0008,共2页郭宇锋 
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
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