单片电路

作品数：53被引量：37H指数：3
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4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量：3
《半导体技术》2013年第1期6-9,共4页许春良 王绍东 柳现发 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。...
关键词：超宽带 低噪声放大器 行波 微波单片集成电路 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 
2～20GHz分布式单片放大器设计
《半导体技术》2012年第8期594-597,共4页陈兴 朱思成 高学邦 
介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的...
关键词：宽带 分布式放大器 单片电路 GAAS PHEMT 低噪声 
宽带HBT VCO单片电路的设计和制作被引量：1
《半导体技术》2010年第1期8-13,共6页陈凤霞 蔡文胜 戚伟 李远鹏 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片...
关键词：压控振荡器 频率 虚地 负阻 异质结双极晶体管 
虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路被引量：3
《半导体技术》2009年第5期510-514,共5页默立冬 陈凤霞 李远鹏 
给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设...
关键词：虚地 反馈 负阻 压控振荡器 S参数 振荡器稳定性 
频率测量单片集成电路的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第9期836-839,共4页任怀龙 陈兴 默立冬 廖斌 吴洪江 
介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18μm CMOS标准工艺线上完成了制作，封装于CQFP48中。经...
关键词：频率测量 低功耗 单片电路 等精度测量 
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