机械抛光

作品数：1251被引量：2245H指数：20
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聚乙烯醇对单晶硅精抛的影响
《润滑与密封》2025年第4期144-150,共7页王雪洁 王辰伟 罗翀 周建伟 陈志博 杨啸 刘德正 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
针对单晶硅精抛后存在沾污等缺陷,目前采用的高分子聚合物添加剂存在泡沫多或是大幅度影响去除速率等问题,选取高分子聚合物聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)作为抛光液添加剂。在SiO2磨料质量分数为0.5%且抛光液pH为10.5的条件下,研究...
关键词：单晶硅 化学机械抛光 颗粒沾污 表面质量 去除速率 
化学机械抛光中抛光垫的退化行为研究
《润滑与密封》2025年第2期148-157,共10页陈宗昱 陈国美 倪自丰 章平 陈国华 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB460023)。
为提高化学机械拋光(CMP)后晶片之间和晶片内部的均匀性,研究抛光垫表面的退化行为及其对CMP加工的影响。通过抛光试验研究CMP过程中材料去除率和晶片表面质量的变化趋势;利用白光干涉仪和扫描电子显微镜观察抛光垫表面微观结构的演变,...
关键词：化学机械抛光 抛光垫 摩擦磨损 性能退化 材料去除率 
二乙烯三胺对硅片化学机械抛光速率的影响
《润滑与密封》2025年第1期138-143,共6页杨啸 王辰伟 王雪洁 王海英 张新颖 杨云点 盛媛慧 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低...
关键词：化学机械抛光 抛光液 二乙烯三胺 硅衬底 抛光速率 
聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响
《润滑与密封》2024年第11期102-108,共7页李丁杰 周建伟 罗翀 王辰伟 孙纪元 杨云点 冯鹏 
国家自然科学基金项目(62074049)。
为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及...
关键词：化学机械抛光 去除速率选择性 表面粗糙度 聚二烯丙基二甲基氯化铵 
单烷基磷酸酯钾盐抑制剂对Co互连化学机械抛光的影响
《润滑与密封》2024年第10期84-91,共8页田雨暄 王胜利 罗翀 王辰伟 张国林 孙纪元 冯鹏 盛媛慧 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑(BTA)等具有毒性,会污染环境等问题,以SiO2为磨料,在甘氨酸-双氧水体系下,使用单烷基磷酸酯钾盐(MAPK)作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液,通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分...
关键词：钴 化学机械抛光 抑制剂 去除速率 表面质量 
氧化剂含量对304不锈钢化学机械抛光的影响被引量：1
《润滑与密封》2024年第5期152-158,共7页季明捷 陈国美 倪自丰 张鑫 郑世坤 
国家自然科学基金项目(52205196);江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB460023)。
为了探究氧化剂含量对304不锈钢化学机械抛光的影响及其作用机制,采用过氧化氢作为氧化剂,研究不同氧化剂质量分数下304不锈钢材料去除率及表面粗糙度值的变化规律,并基于接触角和电化学试验分析过氧化氢在抛光过程中的作用机制。结果表...
关键词：304不锈钢 化学机械抛光 氧化剂 电化学 
环保型缓蚀剂壳寡糖对304不锈钢化学机械抛光的影响
《润滑与密封》2024年第3期97-104,共8页张鑫 陈国美 倪自丰 季明捷 郑世坤 卞达 钱善华 
国家自然科学基金项目(52205196);江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB460023)。
为研究环保型缓蚀剂壳寡糖对304不锈钢化学机械抛光过程和抛光效果的影响,探讨其在抛光过程中与金属表面的作用方式及吸附机制,采用化学机械抛光试验、接触角测量、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线色散能谱仪(EDS)分析等方法,研究壳寡糖有...
关键词：壳寡糖 化学机械抛光 吸附机制 量子化学研究 分子动力学模拟 
表面活性剂在集成电路多层布线CMP工艺中的应用研究被引量：1
《润滑与密封》2024年第1期155-162,共8页占妮 牛新环 闫晗 罗付 屈明慧 刘江皓 邹毅达 周建伟 
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007);国家自然科学基金项目(62074049);河北省自然科学基金项目(F2021202009)。
随着集成电路(IC)特征尺寸不断缩小,集成电路多层布线加工精度面临更高的要求,而化学机械抛光(CMP)凭借化学腐蚀和机械磨削的耦合协同作用,成为实现晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中关键要素之一,其主要成分表...
关键词：表面活性剂 化学机械抛光 多层布线 集成电路 抛光液 
阴离子表面活性剂及复配对阻挡层抛光液性能的影响被引量：1
《润滑与密封》2023年第12期46-54,共9页王方圆 宋国强 檀柏梅 杜浩毓 王晓龙 
国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金项目(F2022202072,F2018202174)。
为提高铜互连化学机械抛光(CMP)后表面质量,在抛光液中需引入适当的表面活性剂以改善磨料的稳定性以及CMP后铜的表面粗糙度。研究了十二烷基硫酸铵(ADSA)、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵(AESA)、直链烷基苯磺酸(LABSA)3种不同阴离子表面活性剂...
关键词：化学机械抛光 表面活性剂 润湿性 粗糙度 抛光液 
集成电路钴化学机械抛光缺陷控制的研究进展被引量：2
《润滑与密封》2023年第7期190-197,共8页纪金伯 张男男 檀柏梅 张师浩 闫妹 李伟 
国家科技重大专项项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金项目(F2018202174)。
钴(Co)因拥有较低的电阻率、良好的热稳定性、与Cu黏附性好等优点,可以替代钽(Ta)成为铜(Cu)互连结构的阻挡层;当特征尺寸减小到10 nm后,由于Co良好的抗电迁移能力,可以在很薄的阻挡层上实现无空隙填充,作为理想的互连金属候选材料,表...
关键词：集成电路 钴 化学机械抛光 点蚀 电偶腐蚀 
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