集成电路工艺

作品数：155被引量：180H指数：7
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一种基于局部间断Galerkin方法的IC互连线电容提取策略
《微电子学》2024年第1期127-133,共7页朱洪强 邵如梦 赵郑豪 杨航 汤谨溥 蔡志匡 
国家自然科学基金面上项目(12371435,61974073);国家自然科学基金联合基金项目(U22B2024);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX22_0896);南京邮电大学校级科研基金资助项目(NY222166)。
求解椭圆方程的局部间断Galerkin(LDG)方法具有精度高、并行效率高的优点,且能适用于各种网格。文章提出采用LDG方法来求解IC版图中电势分布函数满足的Laplace方程,从而给出了一个提取互连线电容的新方法。该问题的求解区域需要在矩形...
关键词：局部间断Galerkin方法 寄生参数提取 互连线电容 集成电路工艺 
功率器件硼基区注入工艺研究
《微电子学》2007年第1期24-27,共4页曾莉 税国华 李杰 
随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域的广泛应用,以及集成电路生产规模的进一步扩大,对参数一致性、重复性、均匀性的要求越来越高;文章重点介绍功率器件硼基区注入工艺,对工艺原理和工艺方案进行了详细阐述...
关键词：功率器件 离子注入 硼基区 集成电路工艺 
集成电路制造工艺状态的表达与跟踪监控
《微电子学》2006年第4期411-415,共5页具丽洁 严利人 
文章提出了对PCM参数进行正交化而建立起一套广义参数,再以广义参数为基础构建工艺状态空间的技术。在工艺状态空间中,作为工艺结果的测试值集的数据分布为多维椭球体;该椭球体随生产的进行而呈现出连续性的形变,因此,跟踪这种形变,就...
关键词：集成电路工艺 工艺状态 工艺监控 统计工艺控制 工艺相似度 
IC离子注入工艺的薄层电阻等值图监控被引量：2
《微电子学》2000年第6期410-414,共5页周全德 
主要介绍了测试薄层电阻等值图所反映出 IC离子注入工艺存在的种种问题 ,以及改进结果和进行有效的监控 ,这对 IC生产是非常重要的。
关键词：薄层电阻 等值图 离子注入 集成电路工艺 
n阱CMOS与n型表沟CCD兼容的集成电路工艺
《微电子学》1995年第5期19-22,共4页谭开洲 张正 舒辉然 
本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
关键词：SCCD 延迟积分器 CMOS工艺 集成电路 
估价MOS集成电路工艺和器件设计改进措施的分层结构
《微电子学》1990年第3期55-64,68,共11页Charles G. Sodini 肖辉杨 
本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种结构用于重在设计型电路的例子。这些例子中所给出的实验数据显示出器件设计对特殊的电路应用的影响。另...
关键词：MOS集成电路 工艺 器件设计 结构 
超高速数字电路的现状及发展趋势
《微电子学》1972年第2期1-16,共16页
毛主席教导我们说:“美国确实有科学,有技术,可惜抓在资本家手里,不抓在人民手里,其用处就是对内剥削和压迫,对外侵略和杀人。”美帝和苏修为了对外侵略和对内剥削的需要,都在加速发展数字处理系统和数字通讯系统。自从1946年美帝为陆...
关键词：毫微秒 时延 MOS 收时 集成电路工艺 双极器件 开关电路 逻辑装置 逻辑电路 沟道长度 抗饱和电路 超高速数字电路 器件性能 硅栅 工艺成品率 
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