光学邻近效应

作品数：34被引量：53H指数：3
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相关机构：ASML荷兰有限公司中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力集成电路制造有限公司更多>>
相关期刊：《微电子技术》《光学学报》《微细加工技术》《中国集成电路》更多>>
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相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术被引量：15
《光电工程》2001年第1期1-5,共5页冯伯儒 张锦 侯德胜 周崇喜 苏平 
国家自然科学基金项目 !(697760 2 8) ;中国科学院光电技术研究所所长基金;微细加工光学技术国家重点实验室开放基金资助项目
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
关键词：相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术 
光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系
《光电工程》1998年第6期55-59,共5页石瑞英 杜开瑛 郭永康 姚军 张怡霄 崔铮 
国家自然科学基金;中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室资助
依据物的空间频谱分布、部分相干成象理论及空间滤波概念，分析了投影光刻中的掩模特征尺寸与光学邻近效应（ＯＰＥ）的关系。
关键词：投影光刻 掩模 光学效应 
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