硅单晶

作品数：596被引量：631H指数：11
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直拉硅单晶生长过程中工艺参数对相变界面形态的影响被引量：3
《物理学报》2018年第21期366-377,共12页张妮 刘丁 冯雪亮 
国家自然科学基金重点项目(批准号:61533014);国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB360508);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20136118130001)资助的课题~~
为改善晶体相变界面形态,提高晶体品质,提出了一种融合浸入边界法(immersed boundary method,IBM)和格子Boltzmann法(lattice Boltzmann method, LBM)的二维轴对称浸入边界热格子Boltzmann模型来研究直拉法硅单晶生长中的相变问题.将相...
关键词：晶体生长 固-液相变 浸入边界法 格子Boltzmann法 
硅单晶生长工艺参数建模及多目标优化被引量：1
《人工晶体学报》2017年第11期2095-2101,共7页黄伟超 刘丁 
国家自然科学基金重点项目(61533014);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2014CB360500)
为了获得满足高品质硅单晶体生长的工艺参数,一种计算流体动力学(computational fluid dynamics,CFD)方法、数据处理组合法(group method of data handing,GMDH)型神经网络和第二代非支配排序遗传算法II(nondominated sorting genetic a...
关键词：晶体生长 工艺参数优化 计算流体动力学 第二代非支配排序遗传算法 多目标优化 
直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述被引量：18
《控制理论与应用》2017年第1期1-12,共12页刘丁 赵小国 赵跃 
国家自然科学基金重点项目(61533014);国家重点基础研究发展计划("973"计划)(2014CB360508);陕西省科技统筹创新工程计划(2016KTZDGY–03–03)资助~~
硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论...
关键词：直拉硅单晶 过程建模 变量检测 过程控制 控制策略 
CZ法硅单晶生长电阻网络建模及MPC仿真分析
《西安理工大学学报》2016年第2期142-148,206,共8页弋英民 张潼 
国家重点基础研究发展计划973项目资助(2014CB360508);国家自然科学基金资助项目(61533014);陕西省教育厅科研资助项目(16JS069)
CZ法硅单晶生长系统具有强非线性及大滞后的特点。本文就该系统建立了传热传质的低阶模型,计算了该模型在初始条件下的稳态解,并进行线性化处理及分析,根据系统的可控性及稳定性确定控制策略,并设计控制器。结果表明:在低阶模型中,采用G...
关键词：单晶硅 CZ法 电阻网络类比 低阶模型 模型预测控制 
基于多目标人工鱼群算法的硅单晶直径检测图像阈值分割方法被引量：15
《自动化学报》2016年第3期431-442,共12页刘丁 张新雨 陈亚军 
国家自然科学基金重点项目(61533014);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2014CB360508);高等学校博士学科点专项科研基金(20136118130001);陕西省自然科学基础研究计划项目(2013JQ8047;2014JM2-6111)资助~~
为提高对硅单晶直径检测图像高亮光环的分割精度,提出了一种基于多目标人工鱼群算法的二维直方图区域斜分多阈值分割方法.首先设计了一种多目标人工鱼群算法,并且改进了快速构造Pareto非劣解集的方法,然后以最大类间方差和最大熵同时作...
关键词：硅单晶直径检测 阈值分割 二维直方图区域斜分法 多目标优化 人工鱼群算法 
四极磁场下大尺寸直拉硅单晶生长三维数值模拟被引量：2
《材料热处理学报》2015年第9期238-243,共6页张晶 刘丁 赵跃 惠一龙 姜雷 
国家重点基础研究发展计划(2014CB360508);博士点基金优先发展领域(20136118130001)
在大尺寸直拉硅单晶生长过程中,针对水平磁场单方向磁力线分布引起的熔体温度分布非轴对称特征,提出了一种双磁力线结构的磁场——四极磁场。为准确描述非轴对称磁场作用下晶体生长过程,采用三维数值模拟方法,建立了四极磁场下二维/三...
关键词：直拉硅单晶 非轴对称性 四极磁场 数值模拟 
对掺杂磷的硅单晶中电子自旋的动力学解耦被引量：2
《科学通报》2011年第1期2-8,共7页荣星 王亚 杨佳慧 朱进贤 徐挽杰 冯鹏博 温旭杰 苏吉虎 杜江峰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB925200)
量子相干是量子计算所利用的主要资源.由于与周围嘈杂环境的耦合,量子比特会遭受退相干效应.动力学解耦(DD)技术是对量子比特进行快速反转操作,可以有效消除量子比特与环境之间的耦合.而最优动力学解耦就是用最少数目的脉冲消除一定阶...
关键词：退相干 动力学解耦 量子计算 
半导体材料研究的新进展(续)被引量：2
《半导体技术》2002年第4期8-11,共4页王占国 
国家重点基础研究发展计划项目“信息功能材料相关基础问题”（G2000068300）；国家自然科学基金委员会的资助；中国科学院半导体材料科学重点实验室
关键词：光学微腔 光子晶体 量子比特 量子计算机 中国 硅单晶 砷化镓 半导体材料 进展 
离子束外延生长半导体性锰硅化合物被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1429-1433,共5页杨君玲 陈诺夫 刘志凯 杨少延 柴春林 廖梅勇 何宏家 
国家重点基础研究专项经费项目 ( G2 0 0 0 0 6 83);攀登计划( PAN95 -YU -34)资助项目~~
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18...
关键词：半导体性锰硅化物 硅单晶 离子束外延生长 
单晶Si中(10)面沿[11]方向裂纹的脆韧性转变
《材料研究学报》2001年第5期559-564,共6页谭军 李守新 姚戈 温井龙 
国家重大基础研究资助项目 G19990680.
利用改进压轮法预制出与以往不同的（１０）面［１１］方向的平直裂纹．采用三点弯曲法测定裂纹临界应力强度因子 Ｋ＿ｃ，用扫描电镜分析裂纹面断口的形貌，研究了硅单晶中的脆韧性转变（ＢＤＴ）行为 结果表明，随着加载速率从 ...
关键词：SI单晶 脆韧性转变 裂变 滑移面 硅单晶 温度 位错 制备 
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