硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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SDB／MCT新型功率器件的研究被引量：2
《微电子学与计算机》1995年第2期54-55,共2页唐国洪 陈德英 周健 
本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳...
关键词：功率器件 硅片直接键合 MCT 
SDB及其减薄技术的研究
《上海半导体》1994年第1期19-24,54,共7页张佐兰 
关键词：微电子技术 硅片直接键合 减薄 
硅片直接键合技术及其应用
《电子工艺技术》1991年第4期14-16,共3页张佐兰 
本文简要介绍硅片直接键合和它的减薄技术以及该技术在微电子学中的应用。
关键词：硅片 直接键合 SDB 键合 
以硅片直接键合（SDB）为基础的新高压IC驱动器工艺
《国外电力电子技术》1991年第2期10-13,共4页Nakag.,A 张昌利 
关键词：硅片键合 高压驱动器 MOSFET 
硅片直接键合机理研究被引量：5
《应用科学学报》1990年第4期303-308,共6页童勤义 徐晓莉 
国家自然科学基金资助
提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200—400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发...
关键词：硅片 键合机理 SDB 直接键合 
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