硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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SOI高温压力传感器的研究现状被引量：9
《河北工业大学学报》2005年第2期14-19,共6页张书玉 张维连 张生才 姚素英 
SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方...
关键词：压力传感器 SOI SiO2层 各向异性腐蚀 硅片直接键合 硅单晶片 
适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术被引量：1
《微电子学》2004年第2期215-216,共2页羊庆玲 冯建 
　采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
关键词：VDMOSFET 硅片直接键合 疏水处理 SOI 范德华力 
短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究
《微电子学》1997年第5期323-325,共3页詹娟 
利用硅栅自对准全离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。
关键词：SOI 硅片直接键合 CMOS 硅器件 集成电路 
硅片直接键合过程中的界面控制被引量：1
《微电子学》1993年第1期11-14,共4页张正璠 
本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。
关键词：单晶硅 Si/Si界面 SOI 键合工艺 
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