高电子迁移率

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晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2001年第5期15-17,共3页
N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199～211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-6...
关键词：高电子迁移率晶体管 肖特基势垒栅场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 开发与应用 情报通信 器件 高功率 研究报告 硅材料 结型晶体管 
材料制备工艺
《电子科技文摘》2001年第2期29-29,共1页
通过分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ半导体过程中形态的反馈控制（见0103366）Si（Ⅲ）衬底上 A1GaN/GaN 高电子迁移率晶体管的微波性能（见0102006）硅基 PZT 铁电薄膜的界面和表面研究（见0101847）CSD 法制备 PZT/Bi2Ti2...
关键词：制备工艺 高电子迁移率晶体管 分子束外延生长 铁电薄膜 反馈控制 微波性能 半导体 表面研究 界面 衬底 
微波集成电路、毫米波集成电路
《电子科技文摘》2000年第11期28-29,共2页
Y2000-62351-103 0018175毫米波电路与前端设备=Session F:millimeter wavecircuits and front-end devices[会,英]//1999 IEEE GaAsIC Symposium.—103～120(PC)本部分收入3篇论文。题名为:日本的毫米波单片 GaAs 集成电路互连与封装...
关键词：毫米波集成电路 高电子迁移率晶体管 毫米波电路 技术发展趋势 收发两用机 视频分配系统 高度集成 电路互连 前端设备 单片微波集成电路 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2000年第11期22-23,共2页
Y2000-62007-2 0018093发射极开关晶闸管(ETO)介绍:单位开关增益容量的数值与试验证明=Introducing the emitter turn-offthyristor(ETO):numerical and experimental demon-stration of unity turn-off gain capability[会,英]/Li,Y.X....
关键词：发射极开关晶闸管 高电子迁移率晶体管 器件 智能功率集成电路 开关增益 电子学报 数值模拟 双异质结晶体管 热载流子 衬底电流 
半导体器件
《电子科技文摘》2000年第10期22-23,共2页
Y2000-62067-457 0016163高击穿、高线性 Ga0.51In0.49P/In0.15Ga0.85As 伪表面高电子迁移率晶体管=High-breakdown and high-lin-earity Ga0.51 In0.49P/In0....
关键词：半导体器件 高电子迁移率晶体管 反射敷层 光电二极管 离子通道 击穿 优化 线性 会议录 微波器件 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2000年第8期27-30,共4页
Y2000-62067-215 0012685微波场效应晶体管直流与交流特性侧墙效应的实验证据=Experimental evidence of side-wall effects on mi-crowave-FET DC and AC performances[会,英]/Chen,H.R.& Huang,G.L.//1998 IEEE InternationalConferen...
关键词：异质结双极晶体管 多晶硅薄膜晶体管 微波场效应晶体管 高电子迁移率晶体管 电子器件 交流特性 集成电路 超晶格 谐振隧道 实验证据 
振荡技术与振荡器、谐振回路
《电子科技文摘》2000年第6期43-44,共2页
Y2000-62086-725 0009497K 波段马蹄形谐振振荡器=K-band hair-pin resonatoroscillators〔会,英)/Hyun, A. -S.&Kim, H,-S. //1999 IEEE MTT-S International Microwave Sympo-sium, Vo1.2.-725一728 ( UC)
关键词：压控振荡器 振荡技术 谐振回路 马蹄形 相位噪声测量 谐振器 变容二极管 波段 异质结双极晶体管 高电子迁移率晶体管 
半导体器件
《电子科技文摘》2000年第6期21-22,共2页
Y2000-62067-39 0009254超高容量光通信系统用飞秒半导体光电器件=Fem-tosecond semiconductor optoelectronic devices for ultra-high throughput optical communication systems[会,英]/Wada,O.//1998 IEEE International Conference...
关键词：半导体器件 半导体光电器件 光通信系统 高电子迁移率晶体管 高容量 谐振隧道二极管 流体动力学模型 飞秒 非抛物型能带 电子器件 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2000年第4期28-32,共5页
Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabili-ty...
关键词：金属肖特基势垒场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 异质结双极晶体管 高电子迁移率晶体管 器件退化 收录论文 论文题目 功率器件 晶闸管 可靠性 
半导体集成电路、单片和多片集成电路
《电子科技文摘》2000年第3期25-26,共2页
Y90-62020-121 0003787PCS CDMA 用的低静止电流效率为40%的三级高电子迁移率晶体管功率放大器毫米波集成电路=A lowquiescent current,40% efficiency three-stage PHEMTpower amplifier MMIC for PCS CDMA application[会,英]/Waug,X....
关键词：多片集成电路 半导体集成电路 高电子迁移率晶体管 功率放大器 电流效率 毫米波集成电路 匹配网络 低损耗 单片 视频芯片 
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