半导体场效应晶体管

作品数：328被引量：449H指数：9
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并联碳化硅MOSFET短路振荡机理被引量：1
《电力电子技术》2023年第11期135-140,共6页丁晓伟 杜岩平 李爱平 
2022年北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会项目(Z221100000222022)。
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为高性能电力电子技术提供了技术保障,其短路承受能力是进一步提升电力电子变换器可靠性的关键;特别是在大功率场合,经常将SiC MOSFET并联使用,然而影响并联SiC器件短路振荡的关键因素...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 短路故障 振荡机理 
负载大小对SiC MOSFET开关速度的影响被引量：2
《电力电子技术》2023年第10期133-136,共4页刘勇 肖岚 伍群芳 刘琦 
现有研究多关注驱动电阻、驱动电压、寄生参数等对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关特性的影响,鲜有文献研究负载大小的影响。针对负载大小影响SiC MOSFET开关速度这一现象,建立开关过程模型,结合其转移特性分析此...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 开关速度 双脉冲测试 
一种新型SiC MOSFET驱动电路的设计被引量：4
《电力电子技术》2023年第2期125-128,共4页王树增 张一鸣 王旭红 张栋 
地球深部探测技术攻关专项(Z181100005718001)。
与传统硅基器件相比,碳化硅(SiC)器件的开关速度得到大幅改善,提高了变换器的功率密度与效率。然而过大的开关频率引起更为严重的栅极串扰问题,造成器件失效。分析了SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程与串扰产生原理...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 串扰 驱动电路 
SiC单管并联模组功率循环及失效机理研究
《电力电子技术》2022年第8期123-127,共5页魏兆阳 王佳宁 黄耀东 樊志鑫 
国家自然科学基金面上项目(52077051);合肥综合性国家科学中心能源研究院科研项目(19KZS207)。
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其优越的材料特性正逐渐替代硅(Si)基器件成为电力变换的核心器件,其长期运行的可靠性是一直以来的研究焦点。功率循环试验是评估其可靠性的有效方法,但目前大多试验的研究对象均...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 功率循环 失效机理 
碳化硅MOSFET并联特性分析
《电力电子技术》2022年第5期137-140,共4页江添洋 
由于碳化硅器件的耐流限制,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在大功率应用领域通常需并联连接。然而,碳化硅MOSFET开关速度快,使之相比于硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对寄生参数更加敏感,在并联连接时尤其是动态过...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 器件模型 并联 互感 
4H-SiC LDMOSFET沟道迁移率影响因素的研究
《电力电子技术》2022年第3期136-140,共5页高秀秀 邱乐山 戴小平 李诚瞻 
长株潭国家自主创新示范区专项(2018XK2202)。
为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 界面态密度 沟道迁移率 
车规SiC MOSFET极限寿命评估后漏电失效机理被引量：1
《电力电子技术》2021年第12期40-42,54,共4页张宇隆 黄凯 黄以明 郑广州 
北京科委基金项目(G180600601)。
针对碳化硅(SIC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)失效机理的研究,此前主要集中在雪崩失效机理和短路失效机理方面,而对其在极限应力寿命试验后的失效机理研究较少。针对某国产车规SiC MOSFET在高温高湿反偏(H3TRB)和温度循环(TC)...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 漏电 失效机理 
基于SiC MOSFET的无线充电系统桥臂串扰特性被引量：1
《电力电子技术》2021年第12期87-90,109,共5页薄强 王丽芳 张玉旺 郭彦杰 
国家重点研发计划(2018YFB0106300);中国科学院战略性先导科技专项(XDA22010403)。
应用于无线充电系统的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)易产生桥臂串扰问题并影响运行可靠性。首先对桥臂串扰的产生机理进行建模并得出SiCMOSFET的结电容在串扰计算中的作用;然后探讨无线充电系统中的桥臂串扰类型,并...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 无线充电 桥臂串扰 
基于改进HTGB试验的SiC MOSFET栅极可靠性研究被引量：2
《电力电子技术》2021年第12期36-39,共4页熊一 廖晓红 柯方超 王成智 
国家重点研发计划(2016YFC0600804)。
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的栅极可靠性考核是一项重要的可靠性测试项目,然而现行测试表征均是针对硅(Si)器件制定的,并未充分考虑SiC器件的特性。这里以阈值电压为栅极老化表征参数,首先对SiCMOSFET器件进...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 高温栅偏试验 阈值电压漂移 
低寄生电感SiC MOSFETs模块的设计与制作
《电力电子技术》2021年第8期141-144,共4页王异凡 张斌 郭清 龚金龙 
国网浙江省电力有限公司科技项目(5211DS18003B)。
为获得两芯片碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)并联半桥模块的优化设计方案,采用Ansoft Q3D Extractor软件对不同互联拓扑结构的模块寄生电感进行研究,并通过ANSYS软件对不同互联拓扑结构的热传递过程进行了仿真。通过...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 半桥 寄生电感 
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