云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- N-MOSFET

N-MOSFET: 作品数：42被引量：51H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘军徐静平谭长华许铭真吴海平更多>>; 相关机构：杭州电子科技大学北京大学华中科技大学华南理工大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《西安电子科技大学学报》《硅谷》《世界电子元器件》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家高技术研究发展计划更多>>

A high rectification efficiency Si_(0.14)Ge_(0.72)Sn_(0.14)-Ge_(0.82)Sn_(0.18)-Ge quantum structure n-MOSFET for 2.45 GHz weak energy microwave wireless energy transmission: 《Chinese Physics B》2022年第6期702-711,共10页Dong Zhang Jianjun Song Xiaohuan Xue Shiqi Zhang; supported by the National 111 Center(Grant No.B12026);Research on***Technology of Intelligent Reconfigurable General System(Grant No.F020250058)。; The design strategy and efficiency optimization of a Ge-based n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(n-MOSFET)with a Si_(0.14)Ge_(0.72)Sn_(0.14)-Ge_(0.82)Sn_(0.18)-Ge quantum structure used for 2.45 ...; 关键词：microwave wireless energy transmission quantum structure GeSn MOS rectification

Observation of nonconservation characteristics of radio frequency noise mechanism of 40-nm n-MOSFET被引量：1: 《Chinese Physics B》2018年第2期527-532,共6页王军彭小梅刘志军王林罗震王丹丹; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.69901003);the Scientific Research Fund of Sichuan Provincial Education Department; Bias non-conservation characteristics of radio-frequency noise mechanism of 40-nm n-MOSFET are observed by modeling and measuring its drain current noise. A compact model for the drain current noise of 40-nm MOSFET is...; 关键词：nanoscale MOSFET non-conservation characteristics noise mechanism radio frequency

辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真: 《现代应用物理》2017年第4期43-47,共5页魏莹崔江维郑齐文马腾孙静文林余学峰郭旗; 利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N沟道MOSFET转移特性的影响。构建了0.18μm N沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况。分...; 关键词：TCAD仿真深亚微米MOS器件总剂量辐射效应辐射陷阱电荷

Performance analysis of SiGe double-gate N-MOSFET: 《Journal of Semiconductors》2017年第4期38-44,共7页A.Singh D.Kapoor R.Sharma; The major purpose of this paper is to find an alternative configuration that not only minimizes the limitations of single-gate（SG） MOSFETs but also provides the better replacement for future technology.In this paper...; 关键词：double gate MOSFET DIBL GIDL volume inversion SiGe Genius tool

氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）: 《固体电子学研究与进展》2016年第2期99-105,共7页周郁明李勇杰; 国家自然科学基金资助项目(51177003);安徽高校自然科学研究资助项目(KJ2016A805); 氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁...; 关键词：4H-SiC金属氧化物场效应晶体管场效应迁移率界面态密度氮离子注入反掺杂

Utilizing a shallow trench isolation parasitic transistor to characterize the total ionizing dose effect of partially-depleted silicon-on-insulator input/output n-MOSFETs被引量：1: 《Chinese Physics B》2014年第9期154-160,共7页彭超胡志远宁冰旭黄辉祥樊双张正选毕大炜恩云飞; supported by the Opening Project of Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory,China(Grant No.ZHD201205);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61106103); we investigate the effects of 60^Co γ-ray irradiation on the 130 nm partially-depleted silicon-on-isolator （PDSOI） input/output （I/O） n-MOSFETs. A shallow trench isolation （STI） parasitic transistor is responsi...; 关键词：partially depleted silicon-on-isolator n-MOSFET sidewall implant shallow trench isolation totalionizing dose

离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征: 《半导体技术》2014年第7期522-526,558,共6页陆子同母志强薛忠营刘林杰陈达狄增峰张苗; 国家重点基础研究发展计划(2010CB832906);上海市自然科学基金资助项目(12ZR1436300); 基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、...; 关键词：离子剥离绝缘体上应变硅 N-MOSFET 器件电学性能电子迁移率

40nm狗骨结构对n-MOSFET的性能影响: 《半导体技术》2013年第3期203-206,共4页王磊周建伟; 设计了一组测试结构用来探讨狗骨(dogbone)结构有源区对n-MOSFET性能的影响因素。测试结构和测量数据基于40 nm工艺技术,通过改变狗骨结构有源区的通孔区域到栅极之间的长度(S)来分析对NMOS器件参数如漏端饱和电流、阈值电压和漏电流的...; 关键词：浅沟槽隔离狗骨结构源极漏极电阻器件性能金属氧化物半导体场效应晶体管

4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型被引量：4: 《西安电子科技大学学报》2011年第1期42-46,共5页汤晓燕张玉明张义门; 国家自然科学基金资助项目(60876061;61006060);中央高校基本科研业务费资助项目(JY10000925009); 提出了一种基于物理的4H-SiCn-MOSFET反型层迁移率模型.基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地应用于二维器件模拟软件.推导出SiC表面粗糙散射迁移...; 关键词：碳化硅反型层迁移率库仑散射

N-mosfet跨导调制的器件设计: 《科技传播》2011年第2期205-205,201,共2页杨建兴闫仕农温廷敦; 国家自然科学基金资助项目(60476043).; 本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小。主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变。设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器件。基于量子力学理论详细的介绍了器件的设计及理论依据。; 关键词：跨导金属场效应晶体管 GAAS/ALGAAS 异质结迁移率

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