NAND

作品数:883被引量:875H指数:12
导出分析报告
相关领域:自动化与计算机技术更多>>
相关作者:谢民高梅国霍宗亮李先楚刘国满更多>>
相关机构:长江存储科技有限责任公司美光科技公司北京兆易创新科技股份有限公司中国科学院大学更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家科技重大专项国家高技术研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=集成电路应用x
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
先进集成电路技术发展现状分析被引量:1
《集成电路应用》2017年第9期22-27,共6页张卫 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2016.160505)
集成电路技术到22/20 nm节点,世界技术先进厂商和技术研究机构出现了分歧,如Intel率先采用Fin FET技术,而TSMC继续沿用平面体硅技术。未来,在摩尔定律的主旋律下,国际主要集成电路企业技术发展路线在各个节点不尽相同,各显神通。在半导...
关键词:集成电路技术 22/20 NM FINFET 平面体硅 存储器技术 3D NAND 
中国半导体存储行业的未来发展路线
《集成电路应用》2017年第2期27-31,共5页蒋朝晖 李锋 
存储器产业芯片国产化之路迈出的重要一步。芯片国产化是中国政府在信息安全自主可控政策领域的实践领域之一。作为信息技术的基础产业,半导体集成电路持续得到国家政策的扶持。近期从国家层面到地方层面,中国的政策发布及资本的投入也...
关键词:集成电路 存储器 DRAM FLASH MEMORY NAND FLASH 相变存储器PCM 
提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析被引量:1
《集成电路应用》2017年第1期54-56,共3页陈君汉 
提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3D NAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者...
关键词:半导体存储器 3D NAND FLASH CELL on Peri 
NAND闪存在工厂编程中的关键技术研究
《集成电路应用》2016年第9期36-40,共5页傅启国 
介绍了NAND闪存及其分类,较详细地讨论了RAW NAND和Managed NAND中的EMMC的结构、接口、信号,并重点研究了其在工厂编程中的关键技术,包括RAW NAND的比特反转、坏块管理方案,EMMC烧录的一般要求,提高其烧录效率的方法,对工厂编程行业内N...
关键词:NAND闪存 RAW NAND EMMC 工厂编程 
一种新型NAND flash的寿命测试方法被引量:1
《集成电路应用》2016年第7期38-40,共3页张朝锋 
在NAND flash测试中,需要对其使用寿命进行监控和测试,以便有效筛选出不合格产品,避免在后续封装以及使用过程中造成不必要的经济损失。关于NAND flash的寿命测试,即检查NAND flash能承受的最大编程/擦除次数,目前常规使用的编程以及擦...
关键词:NAND FLASH 快速测试 寿命测试 
四强投资动作暗潮汹涌,争夺3D NAND市场被引量:1
《集成电路应用》2015年第11期44-44,共1页
尽管目前全球存储器四强竞局维持平衡状态,然近期各厂投资动作频频,包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)与东芝(Toshiba)为量产3DNAND Flash,纷投资建厂或以既有生产线进行转换,SK海力士(SK Hynix)亦可能利用...
关键词:投资 NAND 动作 Flash 3D 市场 平衡状态 内存储器 
FinFET、3D NAND推升半导体设备需求
《集成电路应用》2015年第10期44-44,共1页
从28纳米到20纳米,甚至发展至16/14纳米,未来集成电路制造技术将因晶片工艺制程变化而带给设备商20至30%的成长空间。另外,3DNAND是存储器产业几十年来最大的技术演进,随着3DNAND堆叠层数不断增加,亦将进一步推升半导体设备需求规模。...
关键词:FINFET 设备需求 半导体 NAND 3D 制造技术 集成电路 技术演进 
14nm工艺芯片正式进入市场,3D-NAND存储技术走向商用
《集成电路应用》2015年第6期43-43,共1页
2014年,集成电路产业重要创新的三大进展如下:一是14nmFinFET工艺芯片正式进入市场。14nm工艺节点被业界普遍视为集成电路制造的工艺拐点。在实现14nm工艺的技术进程中,目前主要包括两条技术路线,一种是由英特尔公司在22nm$1J程中...
关键词:存储技术 工艺 NAND 市场 芯片 商用 3D 集成电路产业 
3D NAND结构的纳米芯片技术被引量:1
《集成电路应用》2014年第12期24-25,共2页平尔萱 
3D垂直结构为降低制造成本提供了一条有效途径,同时亦不用依赖极远紫外光刻(EUV)技术。3D垂直结构对制造过程(新材料属性)和设备(精确到原子层控制)提出了严格的要求,一旦攻克这些技术难关,相信3D垂直结构的应用指日可待。
关键词:集成电路 制造工艺 纳米芯片3D NAND 
NAND Flash市场迈向健康发展,淡季或许不淡
《集成电路应用》2013年第6期10-10,34,共2页鲁慧荣 
智能手机、平板电脑等移动产品带动NAND Flash需求升温,由于此类产品供应商相对集中,且都是高利润产品,所以原厂产能逐渐均衡,市场整体发展趋势较好。
关键词:FLASH NAND 市场 健康 淡季 移动产品 智能手机 平板电脑 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部