NMOS

作品数：212被引量：190H指数：6
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一种带自适应电荷泵的超低功耗NMOS LDO
《微电子学》2023年第2期189-196,共8页王世杰 李世磊 周泽坤 王卓 张波 
国家自然科学基金资助项目(62074028)。
设计了一种带自适应电荷泵的超低功耗快速瞬态响应NMOS LDO,电路主要包含误差放大器、缓冲器、功率级、动态零点模块以及自适应电荷泵模块。该自适应电荷泵能够根据负载电流的大小调节工作频率,在兼顾大负载条件下功率管栅极需求的同时...
关键词：自适应电荷泵 NMOS LDO 超低功耗 
总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究被引量：2
《微电子学》2021年第3期429-433,共5页吴昱操 罗萍 蒋鹏凯 
预研资助项目(1126190601A)。
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;...
关键词：8型栅NMOS 辐射总剂量 几何尺寸 关态漏电流 饱和漏极电流 阈值电压 
一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件被引量：2
《微电子学》2021年第1期101-105,共5页李孟窈 刘云涛 蒋忠林 
黑龙江省自然科学基金资助项目(JJ2018ZR1021)。
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件。针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案。利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge...
关键词：STI PD SOI NMOS 总剂量辐照 S栅体接触 KINK效应 
强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究
《微电子学》2021年第1期112-115,120,共5页刘玉奎 殷万军 谭开洲 崔伟 
重庆市科委基金资助项目(scc2019jscx-fxyd0178)。
采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电...
关键词：微分负阻 碰撞电离 MOS-Bipolar复合模式 静电释放 
一种内嵌NMOS的抗闩锁双向MHVDDSCR
《微电子学》2020年第1期132-136,共5页陈磊 刘志伟 刘俊杰 陈瑞博 杨波 李浩亮 
国家自然科学基金资助项目(61874098).
针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR)。在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽取阱内的空穴与电子,促使反偏PN结内电场增强,提高了维持电压。采用Sentaurus TCAD进行了仿真验证。结...
关键词：闩锁效应 DDSCR MHVDDSCR 静电放电 维持电压 
应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善
《微电子学》2019年第2期279-283,共5页卢小雨 蔡巧明 龙世兵 张烨 张陶娜 杨菁国 张云香 
国家自然科学基金资助项目(61521064;61322408);国家重点研发计划项目(2016YFA0201803);中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC048)
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si_3N_4层应力值、SiO_2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分...
关键词：应力记忆工艺 NMOS器件 饱和漏极电流-关态漏极电流 
无输出电容的瞬态增强NMOS LDO被引量：1
《微电子学》2017年第4期505-509,共5页陈文凯 李斌 吴朝晖 
广州市产学研专项基金资助项目(2014Y2-00018)
提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器(LDO)。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地提高了电路的瞬态响应速度。基于0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,负载电流在0.1～100 m A之间的跃迁时间为...
关键词：低压差线性稳压器 NMOS 瞬态增强 无输出电容 动态偏置 
基于镜像结构的改进型片上集成线性稳压器
《微电子学》2017年第3期313-316,321,共5页梁思思 虞致国 赵琳娜 顾晓峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20130156);江苏省六大人才高峰资助项目(2013-DZXX-027);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510);江苏省普通高校研究生实践创新计划资助项目(KYLX15_1192)
基于镜像结构,设计了一种改进型片上集成线性稳压器。在NMOS源跟随器结构的后级单元中增加了低增益反馈回路,不仅继承了常规镜像结构良好的负载瞬态响应性能,而且获得了低的负载调整率。仿真结果表明,相比于常规镜像结构的线性稳压器,...
关键词：线性稳压器 NMOS调整管 源跟随器 负载瞬态响应 
一种全MOS低温漂电压基准源的研究被引量：1
《微电子学》2013年第2期210-212,217,共4页宋文青 于奇 冯纯益 张军 朱波 郑杰 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2010J040)
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:...
关键词：Tracking-VGS 温度补偿 NMOS栅源电压 电压基准源 
一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路被引量：6
《微电子学》2012年第2期238-241,共4页张俊安 陈良 杨毓军 张瑞涛 王友华 余金山 
国家自然科学基金资助项目(60906009;61176030);中国博士后科学基金资助项目(20090451423);重庆市科委基金资助项目(CSTC2010AA2004)
介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路...
关键词：上电复位电路 低阈值电压 CMOS NMOS 
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