SI单晶

作品数:29被引量:24H指数:3
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直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响被引量:1
《Journal of Semiconductors》1997年第2期118-123,共6页沈波 杨凯 张序余 施洪涛 张荣 施毅 郑有炓 关口隆史 角野浩二 
本文研究了直拉型Si单晶中Cu和Fe杂质对氧沉淀行为的影响.尽管Si晶体中Cu杂质的浓度远高于Fe杂质,但发现Cu对氧沉淀行为没有影响,而Fe会明显增强氧的沉淀速率.实验结果表明Cu在Si中形成低密度、大尺寸的沉淀物团簇,与Si晶体生长后...
关键词: 氧沉淀行为 单晶 金属杂质 
在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究被引量:1
《Journal of Semiconductors》1995年第3期167-169,共3页蒋四南 林兰英 
本文对空间生长GaAS:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区.双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高.
关键词:砷化镓:硅 单晶生长 结构缺陷 X射线 微重力 半导体材料 
p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量:1
《Journal of Semiconductors》1993年第1期43-47,共5页陈畅生 曾繁清 曾瑞 陈炳若 龙理 何民才 张锦心 李立本 
国家教委年轻教师基金
本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和...
关键词:单晶制备 含氮CZ-Si 退火 
Si单晶的光学限制特性
《Journal of Semiconductors》1991年第10期609-613,共5页田建国 张春平 张光寅 
我们观察到了Si单晶对调 Q Nd:YAG的 1.06 μm脉冲激光的光学限制效应,并对其机理进行了分析.
关键词:硅单晶 脉冲激光 光学效应 
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