SOI器件

作品数：55被引量：59H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：黄如韩郑生张兴罗家俊安霞更多>>
相关机构：北京大学中国科学院微电子研究所西安电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
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提高SOI器件和电路性能的研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期322-327,共6页海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 李多力 毕津顺 
在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SO...
关键词：SOI 浮体效应 沟道 抗辐照 
亚100nm SOI器件的结构优化分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第9期986-990,共5页王文平 黄如 张国艳 
国家重点基础研究专项基金 (编号 :2 0 0 0 0 36 50 1);国家自然科学基金资助项目~~
分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区 .在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处 ,阈值电压的漂移有一个峰值 ,在器件设计时应避免选用这一交界...
关键词：SOI器件 短沟效应 结构优化 
SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1147-1153,共7页卜伟海 黄如 徐文华 张兴 
国家重点基础研究专项基金 ( 2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金 ( No.6 9976 0 0 1)资助项目~~
针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构...
关键词：SOI器件 浮体效应 环振电路 集成电路 
薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟
《Journal of Semiconductors》1998年第3期206-213,共8页曹建民 吴传良 张文俊 范辉 沈文正 黄敞 
本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得...
关键词：SOI器件 半导体器件 MOSFET 热载流子电流 VLSI 
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