SPICE

作品数：467被引量：472H指数：9
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The impact of process variations on input impedance and mitigation using a circuit technique in FinFET-based LNA被引量：2
《Journal of Semiconductors》2015年第4期104-109,共6页D.Suresh K.K.Nagarajan R.Srinivasan 
supported by the Defense Research Development Organization(DRDO),Government of India
The effect of process variations of a FinFET-based low noise amplifier （LNA） are mitigated by using the device in an independently driven mode, i.e. an independently driven double gate （IDDG） FinFET. A 45 nm gate ...
关键词：FINFET LNA process variation T-SPICE 
Design of basic digital circuit blocks based on an OFET device charge model
《Journal of Semiconductors》2013年第5期110-114,共5页沈澍 
supported by the NAMATECH Project of Regione Piemonte,Italy
An OFET charge model, as well as its parameter extraction method are presented. The fitting results are also discussed and different OFET model characters are compared. Some basic OFET based digital circuit blocks, in...
关键词：OFET SPICE ADS inverter NAND ring oscillator 
SPICE compatible analytical electron mobility model for biaxial strained-Si-MOSFETs被引量：2
《Journal of Semiconductors》2011年第5期36-41,共6页Amit Chaudhry J.N.Roy S.Sangwan 
This paper describes an analytical model for bulk electron mobility in strained-Si layers as a function of strain. Phonon scattering, columbic scattering and surface roughness scattering are included to analyze the fu...
关键词：MOBILITY SIGE STRAINED-SI PHONON surface roughness columbic 
A Novel SPICE Macro-Model for Power ICs
《Journal of Semiconductors》2008年第2期229-233,共5页赵野 周玉梅 李海松 孙伟锋 
A novel macro-model of high-voltage DMOS for power ICs is proposed according to the canonical piecewiselinear model technique. The method describes nonlinear characteristics directly as functions of node voltage. We e...
关键词：power IC SPICE macro-model DMOS 
高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1073-1077,共5页任铮 石艳玲 胡少坚 金蒙 朱骏 陈寿面 赵宇航 
国家自然科学基金(批准号:60306012);上海市科委启明星计划(批准号:04QMX1419);上海应用材料研究与发展基金(批准号:0522)资助项目~~
针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、...
关键词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管 参数提取 曲线拟合 
梳状谐振器的大信号等效电路宏模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第2期185-189,共5页闻飞纳 李伟华 戎华 
国家高技术研究发展计划 (课题编号 :2 0 0 2 AA40 40 10 );教育部 ( No.0 2 16)资助项目~~
研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程 .采用 SPICE中的多项式受控源 ,给出了其 F - I类比的大信号等效电路 ,同时根据所得到的等效电路宏模型运用 SPICE软件进行了系统级的模拟 ,并采用两种方法进行了验证 .
关键词：梳状谐振器 大信号 SPICE 宏模型 
发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证被引量：6
《Journal of Semiconductors》2000年第11期1139-1144,共6页石林初 杜行尧 吕文生 吴毅 吴敏 
国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :697760 2 4 )&&
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似解的新方法 .结果表明 :近似解是在 V( x) VT 的前提条件下求得的 ,仅在弱注入区和中等注入区适用 ,不...
关键词：发射极电流 集边效应 SPICE验证 晶体管 
GTO关断特性的SPICE模拟被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第5期362-368,共7页兀革 陈治明 张昌利 徐南屏 
本文提出了用于模拟ＧＴＯ关断特性的ＳＰＩＣＥ等效电路模型．根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数．用此模型对１０００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型ＧＴＯ的关断特性进行了模拟，包括关断电流拖尾现象在内的整个关断过程，模...
关键词：晶闸管 GTO 模型 关断特性 SPICE 
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