SPICE模型

作品数：106被引量：155H指数：6
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MOSFET器件热载流子效应SPICE模型被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2015年第1期12-16,共5页戴佼容 刘斯扬 张春伟 孙陈超 孙伟锋 
东南大学无锡分校科研引导资金资助项目;东南大学研究生科研基金资助项目(YBPY1403)
为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中...
关键词：MOSFET 热载流子效应 退化 
基于红外焦平面读出电路应用的多层stack电容设计及SPICE模型研究
《航空兵器》2014年第4期49-53,共5页叶伟 戴佼容 刘斯扬 孙伟锋 
航空科学基金(20122469);江苏省自然科学基金(BK2012559);东南大学研究生科研基金资助项目(YBJJ1311);东南大学无锡分校科研引导资金项目
基于0.5μm CMOS工艺设计并制备了一种应用于红外焦平面读出电路的多层堆叠(stack)电容结构,测试结果表明,相比单一形式电容,stack电容的单位面积值增大两倍以上,因而能够有效地提升红外焦平面读出电路的电荷存储能力。此外,本文还为设...
关键词：红外焦平面读出电路 stack电容 SPICE模型 BSIM3 V3模型 边缘效应 
功率VDMOS器件的新型SPICE模型
《东南大学学报（自然科学版）》2013年第3期478-482,共5页朱荣霞 黄栋 马德军 王锦春 孙伟锋 张春伟 
航空科学基金资助项目(20122469);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012559)
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体...
关键词：VDMOS SPICE模型 内部节点 准饱和效应 
高压工艺N阱电阻SPICE模型研究被引量：1
《电子与封装》2007年第11期39-44,共6页李月影 李冰 何小东 
文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管...
关键词：高压N阱电阻 SPICE模型 结型栅场效应管JFET 
VDMOS等效电路的SPICE模型
《电子器件》2007年第2期495-498,502,共5页刘冠男 陈龙 沈克强 
分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用S...
关键词：VDMOS 等效电路 SPICE 电路仿真 
高压VDMOS器件的SP ICE模型研究
《固体电子学研究与进展》2005年第3期410-415,共6页赵野 孙伟锋 易扬波 鲍嘉明 时龙兴 
国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No.2003AA1Z1400)
基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解...
关键词：SPICE模型 高压集成电路 非均匀沟道 纵向双扩散金属氧化物半导体 漂移区 
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