VCSEL

作品数:399被引量:516H指数:10
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湿法腐蚀和干法刻蚀工艺对850nm VCSEL高速调制性能的影响
《半导体光电》2017年第6期826-829,共4页董建 何晓颖 胡帅 何艳 吕本顺 李冲 郭霞 
国家自然科学基金项目(61335004);国家"863"计划项目(2015AA017101)
垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其低功耗、低阈值电流、高调制速率和易制作二维阵列器件等特点,广泛应用于短距离光互连领域。湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速VCSEL台面结构制备的两种工艺,影响VCSEL氧化层的大小。文章研究了氧化层面积对寄...
关键词:垂直腔面发射激光器 高速调制 湿法腐蚀 干法刻蚀 
反谐振反射光波导型VCSEL侧向辐射损耗的分析
《半导体光电》2011年第6期769-772,共4页魏晓航 邓军 徐晨 苗霈 毛明明 李建军 韩军 
国家自然科学基金资助项目(61076044)
使用柱坐标的传输矩阵法计算并分析了在反谐振反射光波导(ARROW)型垂直腔面发射激光器(VCSEL)中,不同的第一包裹层厚度对应的基模和一阶横模的侧向辐射损耗。与传统平板近似的方法相比,该方法更为精确地计算出了损耗的值,同时更为详细...
关键词:激光器 侧向辐射损耗 传输矩阵法 反谐振反射光波导 垂直腔面发射激光器 
40 Gbit/s甚短距离并行光发送模块的研制被引量:1
《半导体光电》2011年第3期398-400,404,共4页胡伟 蒋东新 张雪芹 刘必晨 
基于VCSEL激光器阵列,设计和制作了一种12信道的40 Gbit/s甚短距离并行光发送模块。模块单信道传输速率大于3.5 Gbit/s,12信道并行总传输速率高达40 Gbit/s。并行光发送模块以其高速率、高集成度以及低成本等特点,为短距离高速率并行光...
关键词:VCSEL 甚短距离 并行光传输 12信道 
用于空间光互连的850nm VCSEL 4×4阵列的热场模拟被引量:1
《半导体光电》2010年第1期96-100,共5页田坤 朱少立 王品红 周玉红 
作为空间光互连系统的发射部分,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列的热特性直接影响到光互连系统的稳定性。建立了850nm VCSEL 4×4阵列的热场数学模型,并利用有限差分法求解热传导和热扩散方程,得出了在VCSEL单元工作电流为10mA时阵列...
关键词:光互连 垂直腔表面发射激光器 热扩散方程 有限差分法 
单纵模VCSEL自混合多普勒测速传感系统的设计被引量:1
《半导体光电》2009年第5期748-750,754,共4页徐军 王焕钦 易洁羽 何德勇 赵天鹏 明海 谢建平 
中国科学技术大学青年科学基金项目
基于激光自混合原理研制了多普勒测速传感系统,应用单纵模垂直腔面发射激光器(VCSEL),简化了光路设计;应用差频模拟锁相环技术处理微弱自混合多普勒信号,提高了测速精度和动态范围;应用单片机进行数字采样测量多普勒频移和计算物体的运...
关键词:单纵模垂直腔面发射激光器 激光自混合效应 多普勒测速 
多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析被引量:5
《半导体光电》2007年第5期651-654,共4页吴文光 范广涵 沈为民 金尚忠 徐时清 
国家科技攻关项目(00-068)
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器...
关键词:垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度 
长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺被引量:2
《半导体光电》2007年第5期667-670,675,共5页刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 
国家"973"计划项目(2003CB314903)
简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低...
关键词:垂直腔面发射激光器 欧姆接触 比接触电阻 快速退火 
微波模拟信号调制下VCSEL腔结构参数的优化设计
《半导体光电》2007年第3期331-334,共4页张博 吕英华 张洪欣 王许菲 徐军 杨钊 
国家自然科学基金资助项目(60671055);教育部光通信和光波技术重点实验室开放基金资助项目
以垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)为研究对象,采用Volterra方法结合速率方程理论,从器件设计角度,分析了在5 GHz微波信号模拟调制情况下出射面反射镜的反射率、有源区厚度和光限制因子对其二阶谐波失真、三阶谐波失真和三阶互调失真...
关键词:微波光子学 垂直腔面发射激光器 ROF 非线性 
AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用被引量:3
《半导体光电》2003年第5期341-343,349,共4页黄静 郭霞 渠红伟 廉鹏 朱文军 邹德恕 沈光地 
国家973计划资助项目(G20000683-3)
根据制备垂直腔面发射激光器 (VCSEL)电流限制层的需要 ,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响 ,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件 ;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析 ,得到解...
关键词:VCSEL ALGAAS 氧化 
基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展被引量:2
《半导体光电》2002年第3期145-149,共5页王海嵩 宋俊峰 许呈栋 侯小珂 王剑钢 常玉春 王金忠 杜国同 
国家自然科学基金资助项目 (6 0 0 770 2 1);国家自然科学基金重大资助项目 (6 9896 2 6 0 )
垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构 ,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用。文章概述了近年来以垂直腔面发射激光器为发光器件的收发模块结构的最新研究与进展 。
关键词:激光二极管 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 收发模块 
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