ALN缓冲层

作品数：26被引量：63H指数：5
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张宝顺陈弘邓旭光范亚明朱建军更多>>
相关机构：中国科学院西安电子科技大学北京工业大学南昌大学更多>>
相关期刊：《材料研究学报》《半导体光电》《科技智囊》《哈尔滨理工大学学报》更多>>
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国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜被引量：10
《发光学报》2011年第9期896-901,共6页陈耀 王文新 黎艳 江洋 徐培强 马紫光 宋京 陈弘 
国家自然科学基金(50872146;60877006;60890192/F0404);科技部973(2010CB327501)资助项目
采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 ar...
关键词：GAN ALN SIC衬底 MOCVD X射线衍射 
r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1562-1567,共6页颜建锋 张洁 郭丽伟 朱学亮 彭铭曾 贾海强 陈弘 周均铭 
国家自然科学基金(批准号:10474126;10574148);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A107;2006AA03A106);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311900)资助项目~~
采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Ra...
关键词：GaN 非极性 X射线衍射 RAMAN谱 残余应力 
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展被引量：2
《真空科学与技术学报》2006年第4期308-312,共5页王敬蕊 叶志镇 赵炳辉 朱丽萍 唐海平 
国家重点基础研究专项经费"973"资助(NO.G20000683-06);教育部留学回国人员启动基金;教外司留(No.20031406);浙江省自然科学基金(No.M503183)
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
关键词：Si基GaN ALN 综述 应力 位错 
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