CMP工艺

作品数：32被引量：96H指数：6
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铜互连CMP工艺技术分析
《集成电路应用》2024年第7期78-79,共2页宋红伟 宋洁晶 秦龙 
阐述CMP设备抛光头压力和抛光液中H_(2)O_(2)浓度对TSV工艺面铜去除速率和平坦化的影响。分析发现,粗抛压力3.0psi、精抛压力1.0psi、H_(2)O_(2)浓度2wt%时CMP加工效率高且通孔碟坑深度≤0.5μm。
关键词：集成电路制造 TSV CMP 去除速率 平坦化 
CMP工艺参数改进被引量：1
《集成电路应用》2008年第11期39-42,共4页Ruth DeJule 
为CMP提供消耗品的供应商正在开发新的方法,在维持研磨去除率不变的情况下,改善平整度和缺陷率,同时降低成本,来满足未来应用的要求。
关键词：CMP 工艺参数 供应商 消耗品 去除率 缺陷率 平整度 低成本 
APC在CMP工艺中的应用Ⅱ被引量：1
《集成电路应用》2007年第4期60-60,53,共2页李道强 
晶片到晶片（Wafer-to-Wafer）的均匀控制在晶片至晶片均匀性的控制中．iAPC通过对研磨时间的动态调整，使得研磨后的晶片厚度值达到或少偏离预定的目标值。对于晶片至晶片均匀性的控制．它的控制模型函数必须能够补偿由于连续进来的晶...
关键词：CMP APC 晶片厚度 均匀控制 应用 工艺 研磨时间 动态调整 
APC在CMP工艺中的应用(Ⅰ)被引量：1
《集成电路应用》2007年第3期88-88,共1页李道强 
随着半导体技术的快速发展．器件特征尺寸的显著减小．半导体制造业对工艺误差的控制要求越来越严格。目前．测量机台的发展促进了测量机台和工艺机台的整合（在线测量）。这种在线测量技术增加了半导体制造过程对晶片前后值的测量和反...
关键词：工艺误差 APC 在线测量技术 CMP 半导体制造业 半导体器件 应用 控制要求 
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