云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ELDRS

ELDRS: 作品数：19被引量：20H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陆妩王义元任迪远郑玉展郭旗更多>>; 相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院大学新疆师范大学新疆大学更多>>; 相关期刊：《核电子学与探测技术》《微电子学》《半导体技术》《Chinese Physics B》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金中国博士后科学基金更多>>

双极型器件低剂量率损伤增强效应机理研究进展: 《火箭军工程大学学报》2021年第4期94-100,共7页陕宇皓刘延飞彭征; 针对双极型器件中低剂量率损伤增强(Enhanced Low Dose Rate Sensitivity,EL-DRS)效应问题,评述了国内外关于ELDRS效应机理模型的主要研究成果,并分析了未来可能的研究方向.研究发现:界面陷阱的形成对ELDRS效应起着决定性作用,且ELDRS...; 关键词：双极型器件低剂量率损伤增强效应机理模型 ELDRS-free器件多源协同辐照

国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS被引量：1: 《半导体技术》2018年第5期369-374,共6页魏昕宇陆妩李小龙王信孙静于新姚帅刘默寒郭旗; 国家自然科学基金联合基金资助项目(U1630141);中国科学院西部之光西部青年学者B类项目(2016-QNXZ-B-7); 研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总...; 关键词：国产pnp型双极晶体管宽总剂量范围低剂量率损伤增强效应(ELDRS) 辐射损伤剂量率

Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor被引量：1: 《Chinese Physics B》2018年第3期342-350,共9页Xiao-Long Li Wu Lu Xin Wang Xin Yu Qi Guo Jing Sun Mo-Han Liu Shuai Yao Xin-Yu Wei Cheng-Fa He; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.U1532261 and 1630141); The mechanisms occurring when the switched temperature technique is applied,as an accelerated enhanced low dose rate sensitivity(ELDRS)test technique,are investigated in terms of a specially designed gate-controlled l...; 关键词：ionizing radiation damage enhanced low dose rate sensitivity(ELDRS) switched temperature irradiation gate-controlled lateral PNP transistor(GLPNP)

Non-equilibrium carrier capture,recombination and annealing in thick insulators and their impact on radiation hardness被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2016年第11期73-79,共7页G.I.Zebrevt M.G.Drosdetsky A.M.Galimov; This paper describes an approach to prediction of the thick insulators＇ radiation response based on modeling of the charge yield, which is dependent on irradiation temperature, dose rate, and electric field magnitude...; 关键词：bipolar devices total dose effects dose rate effects ELDRS insulators modeling

Total ionizing dose effects of domestic Si Ge HBTs under different dose rates被引量：4: 《Chinese Physics C》2016年第3期104-108,共5页刘默寒陆妩马武英王信郭旗何承发姜柯李小龙荀明珠; The total ionizing radiation（TID） response of commercial NPN silicon germanium hetero-junction bipolar transistors（Si Ge HBTs） produced domestically are investigated under dose rates of 800 m Gy（Si）/s and 1.3 m...; 关键词：SiGe HBTs TID ELDRS annealing

双极晶体管ELDRS实验及数值模拟被引量：3: 《微电子学》2015年第2期262-266,270,共6页刘敏波陈伟何宝平黄绍艳姚志斌盛江坤肖志刚王祖军; 对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半...; 关键词：双极晶体管低剂量率氧化物陷阱电荷空间电场

Study of the dose rate effect of 180 nm nMOSFETs: 《Chinese Physics C》2015年第1期65-69,共5页何宝平姚志斌盛江坤王祖军黄绍燕刘敏波肖志刚; Supported by National Science Foundation of China(11305126); Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A ＂true＂ dose rate effect （TDRE） is observed. Increased damage is observe...; 关键词：dose rate effect MOSFET ELDRS total dose

Effect of ionizing radiation on dual 8-bit analog-to-digital converters (AD9058) with various dose rates and bias conditions被引量：1: 《Chinese Physics B》2013年第9期629-633,共5页李兴冀刘超铭孙中亮肖立伊何世禹; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 11205038);the China Postdoctoral Science Foundation (Grant No. 2012M510951); The radiation effects on several properties （reference voltage, digital output logic voltage, and supply current） of dual 8-bit analog-to-digital （A/D） converters （AD9058） under various biased conditions are inv...; 关键词：analog-to-digital converters enhanced low dose rate sensitivities （ELDRS） gamma ray and protonirradiation lower/high-dose rate

不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应: 《核电子学与探测技术》2012年第5期578-582,622,共6页胥佳灵陆妩吴雪何承发胡天乐卢健张乐情于新; 研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增...; 关键词：双极模数转换器 60Coγ辐照偏置条件 ELDRS 室温退火

双极型运算放大器ELDRS效应试验研究: 《辐射研究与辐射工艺学报》2011年第3期183-188,共6页阳辉刘燕芳陈宇白桦张东; 针对空间辐射环境下应用的双极型器件抗辐射能力与地面高剂量率辐照模拟试验所获得器件的抗辐照水平存在差异,在地面利用^(60)Co辐射源开展了双极型运算放大器的总剂量辐照试验研究,分析了辐照剂量率、辐照偏置和室温退火3种试验组合条...; 关键词：运算放大器 ELDRS 辐照剂量率辐照偏置室温退火

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