GAAS/ALGAAS量子阱

作品数：32被引量：50H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陆卫李宁沈学础袁先漳李娜更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学中国科学院大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关期刊：《半导体技术》《科学通报》《红外技术》《光电子．激光》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划武器装备预研基金青岛市医药科研指导计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究
《红外与毫米波学报》2024年第1期7-14,共8页苏家平 周孝好 唐舟 范柳燕 夏顺吉 陈平平 陈泽中 
国家自然科学基金(12027805,61991444,11991060)。
本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变...
关键词：非均匀 量子阱 高分辨电镜 二次离子质谱 暗电流 
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的低电阻欧姆接触工艺研究
《红外》2020年第5期13-18,共6页谭振 李春领 孙海燕 张敏 王成刚 
介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验,确定了适合n+GaAs/AlGaAs的电极体系,并对沉积金...
关键词：GAAS/ALGAAS 量子阱红外探测器 热处理 欧姆接触 
GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器被引量：1
《红外与激光工程》2020年第1期69-74,共6页李向阳 李宁 许金通 储开慧 徐国庆 王玲 张燕 朱龙源 王继强 陆卫 
利用GaAs/AlGaAs量子阱结构,研制了像元规模为640×512、中心响应波长在10.55μm附近的红外焦平面阵列器件,与50 K集成式制冷机耦合后,测试了相关性能,其等效噪声温差达到22.5 mK。焦平面组件通过了初步的开关机试验以及热真空试验后,...
关键词：量子阱红外焦平面探测器 长波红外 光耦合优化 
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计被引量：1
《山西大同大学学报（自然科学版）》2019年第3期14-16,52,共4页刘红梅 董丽娟 吕良宇 
山西省应用基础研究项目[201701D221096]
随着探测领域的不断扩大和深入,人们对高性能量子阱红外探测器的需求也越来越迫切。为了解决这一问题,从量子阱红外探测器性能对探测器材料、结构的依赖作用入手,利用电磁仿真方法设计了5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。该探测...
关键词：量子阱红外探测器 GAAS/ALGAAS 阱宽 
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响被引量：1
《激光与光电子学进展》2018年第5期335-341,共7页智民 方铉 牛守柱 房丹 唐吉龙 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏 
国家自然科学基金(61404009;61474010;61574022;61504012;61674021;11674038)
研究了快速热退火(RTA)对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰...
关键词：材料 GAAS/ALGAAS 量子阱 互扩散 快速热退火 
掺杂对称性对(110)晶向生长GaAs/AlGaAs量子阱中电子自旋弛豫动力学的影响}被引量：2
《物理学报》2017年第4期223-228,共6页滕利华 牟丽君 
国家自然科学基金(批准号:11504194,11274189);青岛市应用基础研究计划项目青年专项(批准号:14-2-4-101-jch)资助的课题~~
采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,测量了(110)晶向生长的近似对称和完全非对称掺杂GaAs/AlGaAs量子阱中的电子自旋弛豫,发现两种量子阱材料中的电子自旋弛豫时间随载流子浓度的增大均呈现出先增大后减小的趋势,且近似对称掺杂GaAs量...
关键词：圆偏振光饱和吸收光谱 电子自旋弛豫 掺杂对称性 GAAS/ALGAAS量子阱 
MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究被引量：1
《半导体光电》2015年第5期765-768,772,共5页张丹 李明 高立明 赵连城 
系统研究了I类组分量子阱结构材料GaAs/AlGaAs的结构设计、材料表征及光学性能。利用分子束外延(MBE)技术生长量子阱材料,原子力显微镜(AFM)测量结果表明样品表面粗糙度达到10-1 nm数量级。X射线双晶衍射测试结果显示材料具备良好的生...
关键词：量子阱 GAAS/ALGAAS 材料表征 光学性能 
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计
《半导体技术》2015年第7期521-524,530,共5页张世伟 齐利芳 赵永林 李宁 
量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关。为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心...
关键词：量子阱红外探测器(QWIP) 暗电流 光谱响应 探测率 双色 
MOVCD生长GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的暗电流特性被引量：1
《半导体光电》2012年第6期809-812,816,共5页胡小英 刘卫国 陈智利 
总装备部共性技术支撑项目(4040503104);西安市创新计划项目(CXY1007-3)
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面积80μm×80μm,内电极压焊点面积20μm×20μm的单元测试样品。用变温液氦制冷机测试系统对两个样品进行5...
关键词：量子阱红外探测器 MOVCD 暗电流特性 
320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器被引量：17
《红外与激光工程》2008年第1期42-44,101,共4页史衍丽 
武器装备预先研究项目(40405030104)
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研...
关键词：320×256 GAAS/ALGAAS 量子阱红外探测器 黑体探测率 响应率 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部