云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAAS/INGAAS

GAAS/INGAAS: 作品数：15被引量：11H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈效建任晓伟陈堂胜王泉慧李拂晓更多>>; 相关机构：南京电子器件研究所华东师范大学海南师范大学清华大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics Letters》《激光与红外》《物理学报》《红外技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金海南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

GaAs/InGaAs异质结构纳米线定向生长的研究进展: 《光电子》2020年第1期8-17,共10页曾丽娜李林李再金乔忠良曲轶彭鸿雁; 2019年海南省基础与应用基础研究计划(自然科学领域)高层次人才项目(2019RC192),海南省高等学校科学研究重点项目(Hnky2020ZD-10),海南省自然科学基金(2018CXTD336, 618MS055, 618QN241)资助。; GaAs/InGaAs异质结构纳米线具有直接带隙、载流子迁移率高等优点,在半导体激光器、场效应晶体管、太阳能电池及红外光探测器等光电子器件领域具有广阔的应用前景,受到国内外广泛关注。目前,研究机构大多数基于纳米图形的纳米线定向生长...; 关键词：半导体纳米线外延生长

金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究被引量：1: 《物理学报》2018年第18期300-307,共8页苑汇帛李林曾丽娜张晶李再金曲轶杨小天迟耀丹马晓辉刘国军; 海南省自然科学基金(批准号:2018CXTD336;618MS055;618QN241);国家自然科学基金(批准号:61864002);长春理工大学创新基金(批准号:000586;000943)资助的课题~~; 利用金(Au)辅助催化的方法,通过金属有机化学气相沉积技术制备了GaAs纳米线及GaAs/InGaAs纳米线异质结构.通过对扫描电子显微镜(SEM)测试结果分析,发现温度会改变纳米线的生长机理,进而影响形貌特征.在GaAs纳米线的基础上制备了高质量...; 关键词：金辅助催化金属有机化学气相沉积 GaAs纳米线 GaAs/InGaAs纳米线异质结构

Detection of lead ions with AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor: 《Journal of Semiconductors》2016年第11期40-42,共3页牛吉强张杨关敏王成艳崔利杰杨秋旻李弋洋曾一平; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61204012,61274049,61376058);the Beijing Natural Science Foundation(Nos.4142053,4132070);the Beijing Nova Program(Nos.2010B056,xxhz201503); Lead poisoning is a serious environmental concern, which is a health threat. Existing technologies al- ways have some drawbacks, which restrict their application ranges, such as real time monitoring. To solve this pro...; 关键词：Environmental monitoring A1GaAs/InGaAs PHEMT BIOSENSOR

Evaluation of the drain–source voltage effect on AlGaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance by the structure function method被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2014年第9期60-64,共5页马琳冯士维张亚民邓兵岳元; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61376077,61201046,61204081);the Beijing Natural Science Foundation(Nos.4132022,4122005);the Guangdong Strategic Emerging Industry Project of China(No.2012A080304003);the Doctoral Fund of Innovation of Beijing University of Technology; The effect of drain-source voltage on A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance is studied by experimental measuring and simulation. The result shows that A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance presents a downward tren...; 关键词：AIGaAs/InGaAs PHEMTs structure function method thermal resistance drain-source voltage

GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究被引量：1: 《激光与红外》2012年第1期59-62,共4页尤虎郭方敏朱晟伟越方禹范梁茅惠兵; 国家科技部重大科研项目(No.2006CB932802;No.2011CB932903);上海市配套项目(No.078014194)资助; GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳...; 关键词：量子点量子效率响应率微光探测 CTIA读出

GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出: 《红外技术》2011年第5期281-283,共3页肖云钞郭方敏; 科技部重大项目;编号:2006CB932802;2011CB932903;上海市科委基金项目;编号:078014194; 通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路。在633 nm辐照下,分别...; 关键词：GAAS/INGAAS 量子点-量子阱光电二极管光子存储 CTIA读出电路倒空信号

Strain Compensated AlInGaAs/InGaAs/InAs Triangular Quantum Wells for Lasing Wavelength beyond 2 μm被引量：4: 《Chinese Physics Letters》2007年第11期3237-3240,共4页顾溢张永刚刘盛; The subband energy and lasing wavelength of compressively strained triangular Ino.53Ga0.47As/InAs quantum well are calculated and compared with the conventional rectangular ones with the same strain contents. The stra...; 关键词：coated conductor buffer layer self-epitaxy CeO2

Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs/GaAs/InGaAs quantum well for 1065 nm wavelength lasers: 《Rare Metals》2004年第1期64-67,共4页PANJiaoqing HUANGBaibiao ZHANGXiaoyang YUEJinshun YUYongqin WEIJiyong; Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressuremetallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth interruption and strain buffer layer wereintroduced to improve the photoluminescence (PL) perform...; 关键词：AlGaAs/GaAs/InGaAs strained quantum well MOCVD strain buffer layer growthinterruption laser diodes

GaAs/InGaAs量子点应变场的TEM研究被引量：2: 《电子显微学报》2003年第5期395-399,共5页任晓伟朱静; 国家自然科学基金资助项目;国家863项目;清华大学985资助项目.; 运用透射电子显微术(TEM)对由分子束外延(MBE)制备的GaAs InGaAs多层量子点样品进行观察和分析。利用对量子点周围应变场分布的模拟,定性解释了量子点形貌及其周围发现的凹陷区域。通过对量子点高分辨像显示的晶格错配和化学成分分析研...; 关键词：量子点材料 MBE 分子束外延场分布 TEM 尺寸显示错配研究结果观察

高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2002年第2期231-234,共4页陈堂胜杨立杰王泉慧李拂晓陈效建; 研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于...; 关键词：HFET 功率放大器高效率异质结微波场效应晶体管单片微流集成电路砷化镓铟镓砷

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