GAAS表面

作品数：33被引量：23H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：丁训民侯晓远曹先安董阳陆卫更多>>
相关机构：复旦大学长春理工大学中国科学院贵州大学更多>>
相关期刊：《稀有金属》《中国激光》《发光学报》《河北工业大学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家攀登计划贵州省科学技术基金武器装备预研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
湿法刻蚀钝化对GaAs表面性能影响的工艺研究被引量：1
《中国激光》2024年第16期124-132,共9页张亚磊 兰云萍 韩佳媛 张洪榕 邹永刚 
吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20220739KJ);吉林省科技发展计划项目(YDZJ202301ZYTS261)。
砷化镓(GaAs)是一种典型的Ⅲ-V族半导体材料,但材料本身缺少高质量的稳定钝化层,表面存在较高的表面态密度,最终影响GaAs基半导体器件的性能。采用多步湿法刻蚀钝化工艺降低了GaAs衬底的表面态密度,详细分析了不同酸溶液、酸溶液刻蚀时...
关键词：薄膜 表面化学 多步湿法刻蚀钝化 酸溶液 光致发光强度 砷化镓表面均匀性 
Al液滴在GaAs表面的熟化行为研究
《人工晶体学报》2020年第10期1819-1824,共6页李耳士 黄延彬 郭祥 王一 罗子江 李志宏 蒋冲 丁召 
国家自然科学基金(61564002,11664005,61604046);贵州省科学技术基金(黔科合基础[2017]1055)。
为探究Al液滴在GaAs表面的熟化行为,利用液滴外延法在GaAs衬底表面制备Al液滴。在零As压环境下,通过控制退火时间有效控制Al液滴的生长、成核。结合热力学原理和晶体生长理论对样品形貌变化现象进行物理解释,构建出液滴形貌变化过程中...
关键词：铝液滴 熟化 形貌 液滴外延 
氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响
《发光学报》2020年第3期253-258,共6页王智栋 刘云 彭新村 邹继军 朱志甫 邓文娟 
国家自然科学基金(11875012,61204071);江西省新能源工艺及装备工程技术研究中心开放基金(JXNE2018-05)资助项目。
二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究。采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧...
关键词：SiO2纳米球 氧等离子体 ICP刻蚀 
GaAs(111)表面硅烯、锗烯的几何及电子性质研究被引量：2
《物理学报》2015年第18期57-64,共8页张弦 郭志新 曹觉先 肖思国 丁建文 
国家自然科学基金(批准号:11204259,11374252,11474245,51372214);湖南省自然科学基金(批准号:2015JJ6106);新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-12-0722);教育部长江学者和创新团队计划(IRT13093)资助的课题~~
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111)表面的几何及电子结构.研究发现,硅烯、锗烯均可在As-中断和Ga-中断的GaAs(111)表面稳定存在,并呈现蜂窝状六角几何构型.形成能计算结果证明了其实验制备的可行性...
关键词：硅烯 锗烯 Dirac电子 GAAS表面 
通过湿法化学方法钝化GaAs表面及其光谱特性研究
《纳米科技》2015年第1期30-34,共5页陈芳 唐吉龙 刘国军 房丹 高娴 徐志堃 方铉 马晓辉 徐莉 王晓华 魏志鹏 
使用低温光致发光研究（NH4）2S处理后的砷化镓（GaAs）表面的光学和化学特性，通过扫描光致发光光谱（PLmapping）和原子力显微镜（AFM）的测试结果可以确定，（NH4）2S处理GaAs表面可有效去除表面的氧化层（NH4）2S钝化后的样品的光...
关键词：砷化镓 钝化 光致发光 
ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响
《真空科学与技术学报》2013年第4期368-370,共3页李再金 李特 芦鹏 王勇 李林 曲轶 薄报学 刘国军 马晓辉 
国家自然科学基金项目(61107054);吉林省科技发展计划项目(2012014124)
GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命。用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响。研究结果表明暴露在大气中的...
关键词：半导体激光器 GAAS表面 缺陷 ZNSE 
紫外光激发的GaAs表面氧化反应研究
《半导体技术》2008年第S1期38-41,共4页任殿胜 吴怡 荆学建 
用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激...
关键词：砷化镓 紫外光 表面氧化 X射线光电子能谱仪 
多种含硫溶液钝化(100)GaAs表面的实验研究被引量：4
《发光学报》2007年第6期904-906,共3页刘春玲 张晶 么艳平 王玉霞 王春武 王丽娟 薄报学 
国家自然科学基金(60477010;60476026);武器装备预研基金(9140c3103020604)资助项目
为实现GaAs表面的钝化,以Na2S、(NH4)2S、CH3CSNH2为主要研究对象,通过对比实验研究得出较为理想的湿法钝化液。通过光致发光(PL)谱研究了(NH4)2S+叔丁醇、CH3CSNH2+NH4OH、CH3CSNH2+叔丁醇三种不同含硫溶液钝化(100)GaAs表面后的发光...
关键词：砷化镓 表面钝化 光致发光 非辐射复合 
GaAs表面不同运动状态H_2SO_4-H_2O_2-H_2O液滴的红外辐射特性
《物理学报》2007年第6期3172-3177,共6页刘霖 叶玉堂 吴云峰 方亮 陆佳佳 
国家自然科学基金(批准号:60277008);教育部重点项目(批准号:03147);国防科技重点实验室基金项目(批准号:514910501005DZ0201);四川省科技厅(批准号:04GG021-020-01)资助的课题~~
利用红外热像实时监测系统,研究了GaAs表面不同运动状态(包括静止状态、缓慢运动状态、快速运动状态)下H2SO4-H2O2-H2O液滴的红外辐射特性,并对实验结果和研究价值进行分析.主要的实验结论包括:静止状态时,反应生成热在液滴内部向上对流...
关键词：红外热像 实时监测 液滴 砷化镓 
GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响被引量：1
《半导体技术》2004年第12期38-40,共3页李云 张利民 李岚 张绵 
通过用XPS分析GaAs MESFET肖特基势垒制作前后的表面情况,发现GaAs表面Ga、As的比,对GaAs MESFET击穿电压有着明显的影响, 表面Ga、As比的明显偏离将导致击穿电压的下降。分析了GaAs表面Ga、As比偏离的原因,提出了改进的方法。
关键词：GAAS MESFET 击穿 偏离 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部