GAAS工艺

作品数：24被引量：17H指数：2
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基于GaAs工艺的超宽带低插入损耗高通滤波器
《电子与封装》2024年第10期65-68,共4页王文斌 闫慧君 姜严 吴啸鸣 张圣康 施永荣 
南京邮电大学引进人才自然科学研究启动基金(NY223037)。
基于GaAs工艺设计了一款超宽带低插入损耗高通滤波器,在传统的高通滤波器中加入LC并联谐振电路,构建了一种新颖的拓扑结构,形成了高电阻、低电流的电路条件,同时促进了滤波器单元间的内部耦合,提升了带外抑制能力,改善了电路的陡降性。...
关键词：高通滤波器 GAAS ADS 超宽带 
基于0.15μm GaAs工艺的高阻带抑制低通滤波器设计
《电子与封装》2024年第10期69-72,共4页姜严 吴啸鸣 闫慧君 王文斌 嵇华龙 施永荣 
南京邮电大学引进人才自然科学研究启动基金(NY223037)。
射频低通滤波器是射频电路的重要组件之一,它基于电感和电容的特性,具有阻止高频信号而通过低频信号的作用。基于GaAs集成无源器件技术,使用ADS仿真软件,在滤波器设计中的特定位置使用不同品质因数(Q值)的电感,最终设计实现了一款性能...
关键词：低通滤波器 GAAS 集成无源器件 高阻带 
一款基于GaAs工艺的超宽带混频多功能芯片被引量：1
《电子设计工程》2024年第16期49-53,共5页张斌 汪柏康 张沁枫 孙文俊 秦战明 
针对无源混频器需要高本振功率驱动的问题,采用砷化镓(GaAs)0.25μm PHEMT工艺,设计了一款集成双平衡无源混频器和本振驱动放大器的超宽带混频多功能芯片。混频器由肖特基二极管堆和两个结构新颖的平面螺旋间隔互绕式补偿型marchand巴...
关键词：混频器 驱动放大器 砷化镓 超宽带 巴伦 
一款基于GaAs工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片被引量：2
《现代电子技术》2024年第4期11-16,共6页张斌 汪柏康 张沁枫 孙文俊 秦战明 权帅超 
对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进,使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构,并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容,基于砷化镓(GaAs)工艺,借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配...
关键词：砷化镓 Wilkinson功率分配器 频率补偿电容 ADS软件 小型化 超宽带 
基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器
《传感器与微系统》2024年第1期95-98,共4页李辰辰 高一强 孙晓玮 钱蓉 周健 杨明辉 
国家自然科学基金资助项目(61731021)。
提出了一种基于砷化镓—集成无源器件(GaAs-IPD)工艺的宽带3dB功率分配器。使用多节级联以及集总参数等效的方法,实现了宽带小型化设计;使用RC串联隔离网络实现宽带内的高隔离性能。对提出的功分器进行了理论分析,并以20GHz为中心频率...
关键词：功率分配器 砷化镓工艺 宽带 集成无源器件 
基于GaAs工艺的Ku波段功率放大器设计
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第6期13-19,共7页李圣麒 韩磊 苏国东 王翔 刘军 
本文研制一款12 GHz~18 GHz的Ku波段三级功放(功率放大器,Power Amplifier)。该电路采用三级级联拓扑结构,利用双L型结构有耗匹配网络设计每一级晶体管的输入/级间匹配,通过输出匹配将端口阻抗与最佳负载阻抗进行匹配,实现12 GHz~18 GH...
关键词：GaAs 功率放大器 KU波段 驻波比 带内平坦度 饱和功率 功率附加效率 
基于GaAs工艺的Ku波段高增益低噪声放大器
《大众科技》2023年第7期1-5,共5页贾瑞林 王云秀 段寅龙 樊琴 
四川省教育厅重点项目(16ZA0172)。
文章采用0.13μm GaAs PHEMT工艺技术设计了一款MMIC低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器工作频段为13~17 GHz,采用了双电源供电的两级放大结构,偏置电路采用电感加并联电容的滤波结构来隔离直流信号与射频信号,在第二级放大器的栅极和漏...
关键词：GaAs PHEMT 微波单片集成电路 低噪声放大器 
基于GaAs工艺的毫米波开关滤波器设计
《电子技术（上海）》2023年第6期34-35,共2页韦雪真 
阐述基于GaAs工艺,仿真设计了一款33~37GHz的两通道开关滤波器,其中开关由GaAs FET管并联实现,滤波器采用梳状结构。芯片内部集成驱动电路,采用-5V供电,TTL电平控制两通道的导通与关断。芯片尺寸为2.2mm×1.9mm×0.07mm。测试结果显示,...
关键词：电路设计 开关滤波器 GAAS工艺 
基于GaAs工艺的L波段收发多功能芯片设计
《通信电源技术》2023年第8期74-76,80,共4页高显 戴剑 傅琦 
基于0.15μm GaAs伪形态高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Eleotron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计了一款L波段收发多功能芯片。芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控延时器、接收放大器、发射放大器、单刀双掷开关及数字...
关键词：收发多功能芯片 L波段 GaAs PHEMT工艺 衰减器 
基于GaAs工艺的2~6GHz高效率收发多功能芯片设计被引量：1
《集成电路应用》2022年第6期17-19,共3页王为 袁野 廖学介 滑育楠 
阐述一款基于GaAsp HEMT的2~6GHz收发多功能芯片的设计,该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器,具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示,在2~6GHz,接收通道增益25dB,噪声系数小于...
关键词：集成电路设计 GaAs pHEMT 多功能芯片 低噪声 高效率 MMIC 
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