GIDL

作品数：16被引量：12H指数：2
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Performance analysis of SiGe double-gate N-MOSFET
《Journal of Semiconductors》2017年第4期38-44,共7页A.Singh D.Kapoor R.Sharma 
The major purpose of this paper is to find an alternative configuration that not only minimizes the limitations of single-gate（SG） MOSFETs but also provides the better replacement for future technology.In this paper...
关键词：double gate MOSFET DIBL GIDL volume inversion SiGe Genius tool 
GIDL current degradation in LDD nMOSFET under hot hole stress
《Journal of Semiconductors》2011年第11期43-46,共4页陈海峰 马晓华 过立新 杜慧敏 
supported by the Specialized Research Fund of the Education Department of Shaanxi Province,China(No.11JK0902);the Innovational Fund for Applied Materials of Xi'an,China(No.XA-AM-201012)
The degradation of gate-induced drain leakage （GIDL） current in LDD nMOSFET under hot holes stress is studied in depth based on its parameter IDIFF. IDIFF is the difference of GIDL currents measured under two condit...
关键词：GIDL hot hole LDD band-to-band 
Degradation of ultra-thin gate oxide LDD NMOSFET under GIDL stress
《Journal of Semiconductors》2009年第4期34-37,共4页胡仕刚 郝跃 曹艳荣 马晓华 吴笑峰 陈炽 周清军 
supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos. 60736033, 60506020)
The degradation of device under GIDL （gate-induced drain leakage current） stress has been studied using LDD NMOSFETs with 1.4 nm gate oxides. Experimental result shows that the degradation of device parameters depen...
关键词：GIDL interface traps direct tunneling SILC 
90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2411-2415,共5页陈海峰 马晓华 郝跃 曹艳荣 黄建方 王文博 李康 
国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大...
关键词：最大衬底电流应力 关态 带带遂穿 陷阱电荷 GIDL 
Degradation of P-MOSFETs Under Off-State Stress
《Journal of Semiconductors》2001年第1期25-30,共6页杨存宇 王子欧 谭长华 许铭真 
Motorola APRDL 实验室资助项目&&
The hot carrier effects under off- state stress m ode( Vgs=0 ,Vds<0 ) have been investigated on9nm P- MOSFETs with channel length varying from1.0 2 5 μm to0 .5 2 5 μm.Both on- and off- state currents are discussed....
关键词：off- state stress GIDL HCI interface traps 
热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1087-1092,共6页徐静平 黎沛涛 
香港大学RGC和CRCG基金
对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ 的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｒａｉｎ Ｌｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感，在ＶＧ＝ ０．５ＶＤ 的应力条件下呈现...
关键词：N-MOSFETS GIDL 热载流子应力 退化 
超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1997年第7期544-549,共6页刘卫东 李志坚 刘理天 田立林 陈文松 熊大箐 
国家教委博士后基金;国家05攻关资助
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中的GIDL效应，包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响．发现GIDL在一定的偏置...
关键词：超薄氮氧化硅 GIDI效应 NMOSFET 栅介质 
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