I-V

作品数：544被引量：1029H指数：13
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李昭东孙新军雍岐龙胡晓君王新洪更多>>
相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学西安交通大学上海大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高压二极管阻断I-V特性研究
《固体电子学研究与进展》2023年第4期302-305,323,共5页赖桂森 谢桂泉 郭卫明 王晨涛 焦石 洪波 张磊 
中国南方电网有限责任公司科技资助项目(010100KK52220006);中央引导地方科技资助项目(2022ZY2-YS-04)。
针对高压二极管在终端工艺中出现的3种阻断I-V特性进行了相关测试分析,通过TCAD模拟仿真,结合器件内部电场和漏电流分布,理论研究了3种不同终端负斜角角度对其阻断I-V特性的影响,阐述了导致器件击穿电压降低和软击穿的本质机理。研究结...
关键词：高压二极管 击穿电压 电场 
DOE方法在ESD及LU测试故障定位方面的应用研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2020年第3期226-232,共7页鹿祥宾 陈燕宁 张海峰 原义栋 钟明琛 张志刚 
国家自然科学基金资助项目(U1866212)。
介绍了一种通过因果图及DOE(试验设计)对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建立可能造成失效的各个层级的影响因子;通过两个层次DOE设计,以最少的测试次数筛选出最关键的影响因子。...
关键词：静电放电 闩锁效应 I-V曲线测试 因果图 试验设计 失效分析 
530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管被引量：4
《固体电子学研究与进展》2009年第2期192-194,286,共4页刘洪军 傅义珠 李相光 
报道了530-650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi／WN／Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率，全离子注入自对...
关键词：连续波 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 多层复合栅 
多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第3期334-338,共5页钟锐 黄蕙芬 张浩康 王震 马俊 
制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管...
关键词：液晶显示 多层介质膜 MIM薄膜二极管 I-V特性 反应溅射 电子束蒸发 
MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合
《固体电子学研究与进展》2002年第3期329-332,343,共5页黄云 费庆宇 
运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个...
关键词：MESFET 金属肖特基势垒场效应晶体管 参数提取 曲线拟合 寄生电阻 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部