IMC

作品数：702被引量：1104H指数：12
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焦耳热对Cu/Ga-21.5In-10Sn/Cu液-固电极界面微观结构的影响被引量：1
《半导体技术》2023年第10期863-869,共7页董冲 郭世浩 马海涛 高朝卿 王云鹏 赵宁 
室温Ga基液态金属兼具金属的导电性和液体的流动性,是柔性电子器件的首选材料。在电子产品微型化趋势下,Ga基液态金属导体面临着更大的电流密度、更高的焦耳热效应等问题,严重影响着液-固电极界面的微观结构及结构稳定性。利用实验数据...
关键词：柔性电子 Ga-21.5In-10Sn 焦耳热 界面反应 金属间化合物(IMC) 
陶瓷封装倒装焊器件Sn-Pb微焊点的电迁移行为
《半导体技术》2021年第1期70-74,共5页文惠东 胡会献 张代刚 谢晓辰 林鹏荣 
高密度陶瓷封装倒装焊器件的焊点尺寸已降低至100μm以下,焊点电流密度达到10~4 A/cm~2以上,由此引发的电迁移失效成为不可忽视的问题。以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,开展了Sn10Pb90、Sn63Pb37焊点热电环境可靠性评估试验,通...
关键词：倒装焊 Sn-Pb焊点 大电流密度 电迁移 金属间化合物(IMC)形态 
TLP连接下Ni-Sn-Cu接头显微结构演变与抗剪强度的关系
《半导体技术》2019年第2期129-134,139,共7页杨和月 李烈军 
研究了瞬时液相(TLP)扩散连接过程中镍-锡-铜烧结接头的显微结构演变与其抗剪强度的关系。结果表明,由厚度为20μm的纳米镍焊膏中插入厚度为60μm的纯锡箔所组成的烧结接头,在0.6 MPa压力及340℃的烧结温度下烧结2 h,接头与基板界面逐...
关键词：瞬时液相(TLP)扩散连接 纳米镍 锡箔 金属间化合物(IMC) 抗剪强度 
高温下塑封器件键合铜线的可靠性被引量：5
《半导体技术》2018年第2期154-159,共6页高成 张芮 黄姣英 
针对塑封器件键合铜线在高温环境下的贮存可靠性问题,进行铜线键合塑封器件的高温贮存试验。对经过高温贮存后的塑封器件进行无损开封,分析了高温贮存对铜键合线的拉伸强度和第一键合点剪切强度的影响。利用扫描电子显微镜（SEM）观察Cu...
关键词：塑封器件 键合铜线 高温贮存(HTS) 键合强度 金属间化合物(IMC) 
FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究
《半导体技术》2015年第9期692-698,共7页奚嘉 陈妙 肖斐 龙欣江 张黎 赖志明 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02602)
Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。...
关键词：圆片级封装(WLP) 凸点下金属(UBM) FeNi合金 剪切力 金属间化合物(IMC) 
SAC105掺Ni焊球对焊接点强度与可靠性的影响
《半导体技术》2015年第1期58-62,共5页张淑红 陶自春 
苏州市科技计划资助项目(SYG201347)
在内存封装领域,球栅阵列封装(BGA)由于具有高密度和低成本的特点而被广泛采用。在实际的使用过程中,由于遭受外界各种形式的机械负载和冲击造成器件失效,为了改善焊点的强度和可靠性,以SAC105(Sn98.5Ag Cu0.5)无铅焊球为参照制备出SAC1...
关键词：金属间化合物(IMC) 基板 印刷电路板(PCB) 焊接点 威布尔分布 球栅阵列(BGA) 
基板焊盘的金属层结构对焊接点强度的影响被引量：1
《半导体技术》2013年第9期697-701,共5页陶自春 张淑红 
球栅阵列封装具有高密度、低成本的特点被内存领域广泛采用。在实际的使用过程中由于遭受外界各种形式的机械负载和冲击造成器件失效,典型的失效模式有5类,突出问题是焊点失效,而焊点破裂是失效的主要形式。为了改善焊点的强度,提出了...
关键词：球栅阵列（BGA） 金属间化合物（IMC） 基板 印刷电路板（PCB） 焊接点 
IMC生长对无铅焊球可靠性的影响被引量：2
《半导体技术》2007年第11期929-932,共4页沈萌 华彤 邵丙铣 王珺 
通过模拟及实验研究了IMC层及其生长对无铅焊点可靠性的影响。采用回流焊将无铅焊球（Sn3.5Ag0.7Cu）焊接到PCB板的铜焊盘上,通过-55-125℃的热循环实验,获得了IMC厚度经不同热循环次数后的生长规律。采用有限元法模拟了热循环过程中IM...
关键词：SnAgCu无铅焊料 电子封装 金属间化合物生长 有限元模拟 
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