INGAP/GAAS

作品数：44被引量：35H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：吴德馨刘新宇齐鸣徐安怀郑丽萍更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所广东工业大学杭州电子科技大学更多>>
相关期刊：《湖北大学学报（自然科学版）》《电子技术应用》《电子设计应用》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期426-429,共4页林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣 
国家重点基础研究规划资助项目(批准号:2002CB311902)
InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料...
关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 直流特性 
InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展被引量：2
《材料导报》2006年第12期5-7,共3页林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)
概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。
关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 微波单片集成电路 
高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
《Journal of Semiconductors》2005年第1期92-95,共4页郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德馨 
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 2 );国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);科学院知识创新工程重要方向资助项目~~
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该...
关键词：功率附加效率 INGAP/GAAS 功率HBT 
Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTswith a Low Bias Voltage
《Journal of Semiconductors》2004年第8期908-912,共5页郑丽萍 孙海锋 狄浩成 樊宇伟 王素琴 刘新宇 吴德馨 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 2 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);中国科学院知识创新工程资助项目~~
A self aligned InGaP/GaAs power HBTs for L band power amplifier with low bias voltage are described.Base emitter metal self aligning,air bridge,and wafer thinning are used to improve microwave power performance.A...
关键词：self  aligned INGAP power HBTs low bias voltage 
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