LDMOS

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GaN路线之争再起波澜
《半导体信息》2020年第4期3-6,共4页
凭借高功率、高频工作环境下的优良性能,氮化镓(GaN)正在快速崛起,无论是在功率,还是射频应用领域,GaN都代表着高功率和高性能应用场景的未来,将在很大程度上替代砷化镓(GaAs)和LDMOS。而在GaN外延片方面,主要有两种衬底技术,分别是GaN-...
关键词：外延片 GAN 高频工作 LDMOS 高性能应用 应用领域 主流技术 
埃赋隆推出“突破性”Si LDMOS器件 在VHF和UHF应用中效率达到80%
《半导体信息》2020年第4期10-10,共1页
埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布,在其第9代高性能50VSi LDMOS高效率射频功率晶体管产品系列中新增两款产品——BLF978P和BLF974P。这两款产品专为超高功率射频功率放大器而设计,可提供数百千瓦功率,并具有很高的效率和高增益特性。在AB...
关键词：射频功率放大器 功率晶体管 增益特性 射频系统 千瓦级 LDMOS 超高功率 射频性能 
埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管效率为业界最高
《半导体信息》2020年第1期12-12,共1页
埃赋隆半导体(Ampleon)现在面向工业加热、除霜、等离子照明和医疗应用推出基于LDMOS的BLP05H9S500P功率放大器晶体管。BLP05H9S500P的工作频率范围为423至443MHz,它可在脉冲或连续波模式下提供高达500W的输出功率,并实现迄今尚未被开...
关键词：工作频率范围 功率放大器 S500 连续波模式 漏极效率 工业加热 LDMOS 医疗应用 
埃赋隆为地面移动电台应用推出业界最好的12V LDMOS功率放大器
《半导体信息》2019年第5期12-13,共2页
埃赋隆半导体(Ampleon)发布了最新的12V横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管产品线,加强其地面移动电台业务。这一新的12VLDMOS平台基于埃赋隆已验证的第9代LDMOS技术,其应用范围包括商业、公共安全和国防移动无线电应用。新的12VLD...
关键词：移动电台 工作频率范围 UHF频段 功率放大器 塑料封装 LDMOS 横向扩散金属氧化物半导体 公共安全 
埃赋隆面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管
《半导体信息》2019年第3期14-15,共2页
埃赋隆半导体(Ampleon)宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术(Advanced Rugged Technology,ART),并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产品。这个新工艺的开发旨在用于实现极其坚固的、工作电压高达65V的晶体...
关键词：LDMOS 等离子发生器 陶瓷封装 RF ISM 晶体管 
5G基站:PA数倍增长GaN大有可为
《半导体信息》2019年第3期29-33,共5页
5G基站,射频PA需求大幅增长5G基站PA数量有望增长16倍。4G基站采用4T4R方案,按照三个扇区,对应的PA需求量为12个,5G基站,预计64T64R将成为主流方案,对应的PA需求量高达192个,PA数量将大幅增长。5G基站射频PA有望量价齐升。
关键词：LDMOS 功率放大器 射频器件 GAN PA 
DMOS射频晶体管产品系列又添新成员
《半导体信息》2018年第4期16-17,共2页
坚固耐用型250WRFPA晶体管具有69％的能效，并可在所有相位上承受20：1的VSWR7月18日，Ampleon近日宣布向其适用于连续波（CW）射频能量应用的大功率LDMOS射频晶体管产品阵容中新增一款产品。
关键词：射频晶体管 LDMOS 品系 射频能量 耐用型 大功率 连续波 产品 
意法半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议
《半导体信息》2018年第1期5-6,共2页
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）近日宣布与远创达科技公司签署一份LDMOS射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公司，专业设计制造射频功率半导体产品、模块和子系统集成。
关键词：LDMOS技术 意法半导体 合作协议 射频功率 半导体公司 半导体产品 许可协议 功率技术 
恩智浦推出新型晶体管为915MHz应用提供750W CW突破固态射频能量极限
《半导体信息》2017年第4期11-12,共2页
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N．V．）推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波（CW），比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS，
关键词：功率晶体管 射频能量 应用 极限 固态 LDMOS 半导体 连续波 
2017年射频GaN市场打响未来器件之战哪项技术会出局
《半导体信息》2016年第6期27-29,共3页
未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。今年的GaN（氮化镓）器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分...
关键词：商业市场 GAN 器件 LDMOS 技术 射频 MOS晶体管 基础设施 
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