LPE

作品数：102被引量：129H指数：6
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Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1258-1262,共5页刘磊 陈诺夫 杨晓丽 汪宇 高福宝 
Lattice matched Ga1-x Inx Asy Sb1-y quaternary alloy films for thermophotovoltaic cells were successfully grown on n-type GaSb substrates by liquid phase epitaxy. Mirror-like surfaces for the epitaxial layers were ach...
关键词：GAINASSB LPE THERMOPHOTOVOLTAIC spectrum response 
HgCdTe液相外延材料组分分布的红外透射光谱评价技术被引量：5
《Journal of Semiconductors》2008年第3期534-538,共5页顾仁杰 张传杰 杨建荣 陈新强 魏彦峰 
对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究.红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模型,并考虑了光穿越组分梯度区时产生的干涉效应.通过测量同一样品在不同外延层厚度下的一组红外透射光谱...
关键词：HGCDTE LPE 红外透射光谱 纵向组分梯度 
（Hg，Cd）Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第10期721-728,共8页李标 褚君浩 朱基千 陈新强 曹菊英 汤定元 
根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜纵向组分分布的影响．
关键词：HGCDTE薄膜 液相外延生长 纵向组分分布 
Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究
《Journal of Semiconductors》1990年第10期738-745,共8页杨保华 王占国 万寿科 龚秀英 林兰英 
国家高技术;高技术基金
在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致...
关键词：LPE 化合物光导体 晶格匹配 
两性杂质锗在LPE GaAs中分凝系数和占位比的计算
《Journal of Semiconductors》1989年第10期725-732,共8页杨辉 梁骏吾 
将三元相图理论推广到Ⅲ-Ⅴ族化合物及两性Ⅳ族元素杂质组成的赝四元体系,推导了Ⅳ族元素Ge在GaAs液相外延时的分凝系数的温度关系以及占位比与温度的关系,理论计算与实验相符合.并用拟合的方法确定了Ga-Ge-As固相体系中的相互作用参数...
关键词：液相外延 分凝系数 相图 砷化镓 
掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究
《Journal of Semiconductors》1989年第2期81-85,共5页杨保华 王玉田 李成基 何宏家 王占国 林兰英 
国家自然科学基金
本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面...
关键词：GAAS LPE 晶格失配 
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