王东兴

作品数：30被引量：38H指数：3
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发文主题：酞菁铜有机半导体有机静电感应三极管有限元法抛光表面更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术文化科学电气工程更多>>
发文期刊：《哈尔滨理工大学学报》《哈尔滨工业大学学报》《电子技术应用》《物理学报》更多>>
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一种快速锁定锁相环的方案设计被引量：2
《电子技术应用》2019年第11期47-50,共4页潘鸿泽 王东兴 宋明歆 
提出了一种锁相环快速锁定的方案,在传统锁相环基础上,额外设置辅助充电模块,此模块可实现在输入参考时钟与反馈时钟频率差距较大时,提供大电流对滤波器中的电容充电,在临近锁定状态时退出快速锁定模式切断充电通路,因此极大地缩短了的...
关键词：锁相环 鉴频鉴相器 电荷泵 滤波器 压控振荡器 分频器 快速锁定 
一款6.4 ppm/℃的低功耗带隙基准设计被引量：3
《电子技术应用》2019年第9期46-49,共4页潘鸿泽 王东兴 宋明歆 
设计了一款低功耗带隙基准,通过引入在温度超过某一温度之后的渐变阻抗,改善了带隙基准的温漂值,同时对传统的带有运放的带隙做出了改进,设计了一款低功耗的结构。仿真结果表明,在电源5V供电情况下,总体功耗为1.2μW,在温度范围-40℃~15...
关键词：带隙基准 低功耗 低温漂 渐变阻抗 
垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试被引量：1
《哈尔滨理工大学学报》2015年第4期16-20,共5页王东兴 王泽英 王玥玥 张永霜 王玥 
国家自然科学基金(61201075)
传统有机材料的场效应晶体管(FETs)具有工作速度低、驱动电压高的缺陷,针对这个问题,垂直结构的酞菁铜(Cu Pc)有机薄膜晶体管(VOTFTs)被制备,整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺.器件的层叠结构为Au/Cu Pc/Al(半导电)/Cu P...
关键词：有机薄膜晶体管 半导电Al栅极 酞菁铜 肖特基势垒 
酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性被引量：2
《哈尔滨理工大学学报》2014年第5期18-22,共5页朱敏 张永霜 王玥玥 王泽英 王东兴 殷景华 
黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12511120)
无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧...
关键词：酞菁铜 肖特基内建电场 Ⅰ-Ⅴ特性 光电流放大系数 
MgAl/PbPc/Cu有机薄膜二极管的制备与气敏特性分析
《哈尔滨理工大学学报》2014年第4期67-70,共4页王东兴 陈嘉宾 张月 山岳 
黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12511120)
选用酞菁铅作为有机半导体气敏材料,用真空热蒸镀、磁控溅射等镀膜方法制备器件,所制备薄膜二极管的结构为MgAl/PbPc/Cu,使用Keithley 4200半导体测试仪与气敏测量系统分析器件肖特基二极管的气敏特性,通过对电流-电压特性的实测数据进...
关键词：酞菁铅 薄膜二极管 气敏特性 NO2 
垂直结构ZnO薄膜晶体管制备与工作特性
《哈尔滨理工大学学报》2014年第3期31-34,39,共5页朱敏 山岳 张月 罗双超 王东兴 
黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12511120)
针对目前发表的氧化物薄膜晶体管的研究成果中,存在着驱动电压高,工作电流小的问题,制备了垂直结构的氧化锌薄膜晶体管.器件制备是以石英玻璃为衬底,采用磁控溅射工艺,以氧化锌薄膜为有源层.测试结果表明,制备的晶体管驱动电压低、工作...
关键词：氧化锌薄膜晶体管 低驱动电压 磁控溅射 载流子迁移率 
Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性被引量：3
《哈尔滨理工大学学报》2012年第6期57-60,共4页王长昊 王东兴 王晓林 庞超 赵洪 
黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12511120)
以Si(111)为衬底,采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向,样品表面光洁、平整.在此ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃衬底上成功制...
关键词：紫外探测 肖特基二极管 ZNO薄膜 I-V特性 
Al/CuPc/Cu肖特基气敏二极管制备与特性被引量：2
《哈尔滨理工大学学报》2012年第2期127-130,共4页王东兴 刘晓廉 焦兵兵 刘跃 
黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12511120)
实验采用溅射和蒸发镀膜工艺,制备了一种新型的Al/CuPc/Cu三明治结构NO2气敏传感器.这种器件对NO2气体具有较高的敏感性,制备工艺简单,成本较低.通过研究其在NO2气体中电学特性的变化,来表征其敏感特性.研究结果表明,在10 ppm的NO2气体...
关键词：肖特基 酞菁铜 敏感度 势垒高度 
碳纳米管辐射太赫兹波的理论分析与数值验证被引量：4
《物理学报》2011年第5期719-724,共6页王玥 吴群 吴昱明 傅佳辉 王东兴 王岩 李乐伟 
国家自然科学基金(批准号:60971064);毫米波国家重点实验室项目(批准号:K201006);黑龙江省教育厅科学技术项目(批准号:11531055);哈尔滨理工大学青年科学基金(批准号:2009YF025)~~
基于简单紧束缚方法理论,利用一维碳纳米管的量子化周期边界条件得到了碳纳米管的电子能级结构关系.并结合已报道的碳纳米管中电子与声子相互作用的实验结果,得到了碳纳米管能够辐射太赫兹波的结论.通过数值结果验证了碳纳米管在外场作...
关键词：太赫兹波 碳纳米管 
酞菁铜有机薄膜肖特基二极管的研制被引量：1
《哈尔滨理工大学学报》2010年第4期38-41,共4页张健 王东兴 
黑龙江省科技攻关项目(GC04A107)
提出了一种基于有机半导体材料制作肖特基二极管的方法,通过真空气相沉积工艺依次将金属铝,酞菁铜和金属铜镀在玻璃基片上.在室温下测试该二极管的电流-电压(I-V)特性发现,其整流系数可达103.根据实验所得的电容-电压(C-V)的测试结果,...
关键词：薄膜二极管 有机半导体 气相沉积 电容-电压 
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