李云鹏

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溅射条件对InSb薄膜方块电阻的影响被引量：1
《传感器世界》1998年第3期11-15,共5页张小玲 孙承松 李云鹏 温作晓 
本文介绍了用射频溅射技术制备InSb薄膜的方法,探索了溅射电压,工作气压、衬底温度及基片电压等条件对膜的特性和结构的影响.着重讨论了溅射条件对膜方块电阻的影响,并初步得出其变化规律.
关键词：溅射 薄膜 方块电阻 锑化铟 
Pt薄膜平面热线型NH_3敏元件被引量：2
《传感器世界》1997年第9期17-20,共4页王哲 全宝富 王剑刚 孙良彦 李云鹏 孙承松 周立军 
本文介绍了铂薄膜平面热线型氨传感器.它是利用高频溅射在硅片上制作铂膜电阻,然后涂以气敏涂料,600℃下烧结90分钟而制成的NH_3敏元件.同时讨论了几种元素对元件灵敏度及选择性的影响,发现以SnO_2为基体材料加入少量的Au对氨气有较高...
关键词：热线型 传感器 铂薄膜 氨敏元件 试验 
溅射SiO_2薄膜的电气性能被引量：1
《传感器世界》1997年第4期9-11,共3页孙承松 李云鹏 
本文介绍了一种在金属弹性体和应变电阻之间制作SiO_2绝缘膜的方法,并对基底表面状况,溅射条件对SiO_2膜绝缘性能的影响做了实验研究 实验结果表明,在良好的基底表面,合适的基底温度和调谐偏压下可制备出性能良好的SiO_2膜.
关键词：溅射 电气性能 二氧化硅薄膜 
Ni薄膜热敏电阻失效机理研究被引量：1
《仪表技术与传感器》1996年第12期13-15,共3页谢军 周立军 李云鹏 
通过对Ni薄膜热敏电阻进行可靠性试验得出其失效模式,并对失效机理进行了分析。
关键词：薄膜热敏电阻 可靠性 热敏电阻 
薄膜磁敏元件基片的选择与制备
《仪表技术与传感器》1995年第3期14-16,30,共4页李云鹏 孙承松 周立军 关杰 曾永宁 
本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求,依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片,上面制备SiO_2作绝缘膜。重点论论了用射频溅射法制备SiO_2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验,给出实验结果。
关键词：薄膜 磁敏元件 基片 溅射 
微机半导体高频C—V测试仪的研究
《沈阳工业大学学报》1991年第4期45-49,共5页姜万钟 李云鹏 周立军 
文章介绍一种已研制出的小型微机半导体高频C—V测试仪,分析了测试系统和它的工作原理。简要地指出程序设计流程和所用公式。实验证明该仪器有使用方便、迅速、价格低廉等特点。
关键词：半导体器件 测试装置 微机 
薄膜型集成温——湿度传感器
《仪表技术与传感器》1990年第4期30-32,39,共4页李云鹏 孙承松 周立萍 吕力川 
文章推出一种温—湿度一体化的传感器,该传感器以硅片为基础材料,用扩散法制成P—N结做测温元件,测湿元件是用高频溅射法制成的复合氧化物湿敏薄膜,湿敏膜的加热清洗可用敏感膜下面的扩散电阻加热器进行。这种一体化的传感器使用方便、...
关键词：薄膜型 集成 传感器 温度 湿度 
超微粒子气敏膜的制备
《仪表技术与传感器》1989年第6期6-8,共3页孙承松 李云鹏 
文中介绍用高频溅射方法制备了超微粒子气体敏感膜,研究了工艺参数对气敏膜的质量、性能的影响,并对气敏膜进行了测试,给出了试验曲线。
关键词：微粒子 气敏膜 气体泄漏 检测 报警 
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