郑宣鸣

作品数：14被引量：79H指数：6
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供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学系统先进制造技术重点实验室更多>>
发文主题：表面改性SIC碳化硅SI反应烧结碳化硅更多>>
发文领域：理学电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《光学精密工程》《光学学报》《红外与激光工程》《光子学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响被引量：2
《红外与激光工程》2012年第8期2167-2172,共6页王笑夷 高劲松 陈红 王彤彤 申振峰 郑宣鸣 
国家自然科学基金(60478035)
利用磁控溅射方法以CH4和Ar的混合放电气体溅射单晶Ge靶制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,通过XPS、Raman和Nanoindentation等表征手段系统地研究了射频功率和衬底温度对所获薄膜成分、键合结构及力学性质的影响。研究发现:射频功率和衬底温度...
关键词：碳化锗 sp3杂化碳原子 射频功率 衬底温度 
宽截止窄带滤光片设计被引量：4
《红外技术》2010年第9期532-534,共3页朱华新 高劲松 王彤彤 王笑夷 陈红 郑宣鸣 申振锋 
国家自然科学基金资助;编号:60478035
介绍了一种获得窄带宽截止滤光片的方法,即具有缺陷的多异质结结构,这种结构能够展宽光子晶体的禁带同时实现窄通带效应。通带的位置与缺陷的厚度及缺陷的位置有关,设计的窄带宽截止滤光片在光学领域中具有一定的应用前景。
关键词：光学薄膜 滤光片 通带 禁带 
应用SiC反射镜表面改性技术提高TMC光学系统信噪比被引量：9
《光学精密工程》2009年第12期2952-2958,共7页陈红 王彤彤 高劲松 巩盾 王笑夷 郑宣鸣 申振峰 张忠玉 
国家自然科学基金资助项目(No.60478035)
为了消除SiC反射镜的固有缺陷,提高反射式光学系统的信噪比,使用SiC表面改性技术对同轴三反射(TMC)光学系统的SiC反射镜进行了处理。首先,应用等离子体辅助沉积(PIAD)技术沉积了一层Si改性层,接着对改性层进行精密抛光,然后在反射镜表...
关键词：TMC系统 表面改性 SiC反射镜 信噪比 
空间用SiC反射镜表面改性的性能和可靠性评估被引量：6
《光子学报》2009年第9期2353-2358,共6页申振峰 高劲松 陈红 王笑夷 王彤彤 郑宣鸣 
国家自然科学基金(60478035)资助
根据空间应用项目需求,采用等离子辅助电子束蒸发方法对RB-SiC基底进行了表面改性,并对表面改性的性能和可靠性进行了相关评估.经测试,改性后RB-SiC基底表面粗糙度(rms)降低到0.632 nm;散射系数降低到2.81%,500～1 000 nm范围的平均反...
关键词：SiC反射镜 表面改性 等离子辅助 RB SIC 可靠性 
空间反射镜基底材料碳化硅表面改性研究被引量：16
《光学学报》2009年第9期2624-2629,共6页高劲松 申振峰 王笑夷 王彤彤 陈红 郑宣鸣 
国家自然科学基金(60478035)资助项目
直接抛光后的SiC反射镜表面光学散射仍较大,无法满足高质量空间光学系统的应用需求。为此必须对SiC反射镜进行表面改性,以获得高质量的光学表面。目前国际上较为流行的是制备Si或SiC改性层进行表面改性。分别采用离子辅助电子束蒸发方...
关键词：薄膜 表面改性 离子辅助 SI薄膜 SIC薄膜 SiC反射镜 
RB-SiC基底反射镜表面改性工艺的改进被引量：7
《光学精密工程》2009年第5期969-974,共6页申振峰 高劲松 王笑夷 王彤彤 陈红 郑宣鸣 
国家自然科学基金资助项目(No.60478035)
为了满足空间用大口径、复杂轻量化结构RB-SiC基底反射镜对高性能表面质量的需求,针对RB-SiC基底的特性,提出了改进表面改性工艺的方法。采用高能量考夫曼离子源辅助,预先对基底进行碳化和加镀C缓冲层,并制备Si改性涂层的方法对RB-SiC...
关键词：碳化 RB-SiC基底 SiC反射镜 表面改性 
SiC空间反射镜材料及其表面改性技术现状分析被引量：20
《中国光学与应用光学》2009年第2期71-78,共8页高劲松 申振峰 王笑夷 王彤彤 陈红 郑宣鸣 
国家自然科学基金资助项目(No.60478035)
SiC材料具有良好的物理特性和机械特性,是制备大口径空间反射镜的主要候选材料之一,而SiC反射镜的制备、加工及其表面改性技术是推动高水平空间光学系统应用的重要条件。本文从实际工程应用的角度出发,分析了几种常用SiC基底反射镜材料...
关键词：SIC SiC反射镜 表面改性 
两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究被引量：7
《光学技术》2009年第1期21-24,共4页申振峰 高劲松 陈红 王彤彤 王笑夷 郑宣鸣 范镝 
国家自然科学基金资助项目(60478035)
利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅(RB-SiC)和常压烧结碳化硅(Sintered SiC,S-SiC)基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析。经过表面改性,两种基底的表面粗糙度(rms)大幅地降低,镀银后的反射率...
关键词：RB-SIC S-SiC 表面改性 粗糙度 散射 Si膜 
用自制总积分散射仪评估SiC基底表面改性效果被引量：7
《光学精密工程》2008年第10期1841-1846,共6页申振峰 高劲松 陈红 王笑夷 王彤彤 郑宣鸣 
国家自然科学基金资助项目(No.60478035)
根据总积分散射理论自制了半球式总积分散射仪,建立了系统规范的测试方法,并应用其对工程中SiC基底表面改性的效果进行了相关检测和评估。改性后RB-SiC和S-SiC基底的散射系数分别降低到2.86%和1.53%,已接近于抛光良好的微晶玻璃的水平(1...
关键词：总积分散射仪 SiC反射镜 表面改性 
反应烧结碳化硅表面改性的初步研究被引量：4
《光学精密工程》2008年第9期1603-1607,共5页王彤彤 高劲松 王笑夷 陈红 郑宣鸣 范镝 申振峰 
国家自然科学基金资助项目(No.60478035)
应用电子束蒸发硅，霍尔离子源电离甲烷，并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅（RBSiC）基底上沉积了碳化硅（SiC：H）改性薄膜。X射线衍射（XRD）测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率，制备了硬度为9．781～13．087GP...
关键词：薄膜制备 碳化硅薄膜 表面改性 离子辅助电离 硬度和弹性模量 
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