沈晓霞

作品数：12被引量：15H指数：3
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供职机构：深圳信息职业技术学院更多>>
发文主题：锗牺牲层周围区中心区工科背景更多>>
发文领域：电子电信文化科学理学机械工程更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《半导体技术》《深圳信息职业技术学院学报》《科技信息》更多>>
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“新工科”背景下高职工科课程思政研究
《科教导刊》2021年第31期43-45,共3页沈晓霞 任亚洲 
深圳信息职业技术学院教研项目:“新工科”背景下高职工科基础课程教学模式改革与实践(2019ktjgzx04)。
本文以新工科背景下的工科课程思政为例,从课程思政的内涵、可行性、教学途径、课程思政的成效等四方面探索顺应新工科建设需要的课程思政教学的改革和实践。
关键词：新工科 课程思政 人文环境 
“新工科”背景下高职工科基础课程建设探讨被引量：4
《教育教学论坛》2020年第37期344-345,共2页沈晓霞 任亚洲 
深圳信息职业技术学院教研项目:“新工科”背景下高职工科基础课程教学模式改革与实践(2019ktjgzx04)。
文章以工科电路类基础课程为例,从重构新工科课程体系、重建教学内容、翻转教学模式、优化人文环境等四方面,探索顺应新工科建设需要的课程教学改革和实践。
关键词：新工科 通识教育 活页教材 人文环境 
张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节
《深圳信息职业技术学院学报》2017年第3期59-63,共5页周志文 郭海根 李世国 沈晓霞 王颖 
广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53 ...
关键词：锗 张应变 N型掺杂 能带 发光器件 
张应变锗薄膜制备技术的研究进展
《半导体技术》2017年第3期161-168,189,共9页周志文 李世国 沈晓霞 
广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关注。然而,在锗薄膜中引入可控的、大的张应变是个挑战。综述了张应变锗薄膜制备技术的研究进展,重点介绍...
关键词：张应变 锗薄膜 外延 硅衬底 光电子 
硅衬底上锗外延层的生长被引量：2
《半导体技术》2016年第2期133-137,共5页周志文 沈晓霞 李世国 
广东省自然科学基金(S2013010011833);广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123);深圳市科技计划项目(JCYJ20120821162230170)
利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层技术,研究了Si衬底上高质量Ge外延层的生长。结果表明,低温Ge缓冲层的表面起伏较大,降低生长温度并不能抑制三维岛状生长。然而,低温Ge缓冲层的压应变几乎被完全弛豫,应变弛豫度达到90%...
关键词：锗外延层 低温缓冲层技术 应变驰豫度 硅衬底 表面形貌 
降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
《半导体技术》2016年第1期10-15,31,共7页周志文 沈晓霞 李世国 
广东省自然科学基金资助项目(S2013010011833);深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170);广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123)
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺...
关键词：锗(Ge) N型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻 
InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究被引量：3
《光电子．激光》2015年第1期30-34,共5页李世国 龚谦 曹春芳 王新中 沈晓霞 周志文 张卫丰 范金坪 
国家自然科学基金(62104058);广东省自然科科学基金(S2013010011833);深圳市科技创新计划(JCYJ20130401095559823)资助项目
合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器...
关键词：量子点 激光器 接触电阻 合金化 
Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟
《激光与光电子学进展》2014年第12期212-217,共6页周志文 沈晓霞 李世国 
深圳市科技计划(JCYJ20120821162230170)
设计了Si衬底上Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/Si O2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/Si O2的对数分别为2和3,Ge薄膜的厚度...
关键词：光电子学 共振腔增强型 光电探测器 锗 
全息干涉法制备的光子晶体带隙特性研究
《深圳信息职业技术学院学报》2013年第3期61-65,共5页沈晓霞 王新中 周志文 
广东省科技计划(2010B010800013);广东省自然基金(S2012010010030);深圳市科技计划项目(JCYJ20120615101957810;JCYJ20120821162230170);深圳信息职业技术学院一般项目(YB201007)
提出了一种利用两次曝光的全息干涉技术提高光子晶体全带隙的方法,通过两次曝光可以适当调整晶格中介质柱的大小和形状,并可以改变光子晶体的对称性,有效地提高光子能带性质。以两种混合三角光子晶体结构为例进行计算,研究表明经过适当...
关键词：全息干涉 光子晶体 光子带隙 
利用复合技术提高光子晶体LED发光效率的研究被引量：2
《激光与光电子学进展》2013年第10期41-48,共8页沈晓霞 董国艳 任亚洲 王新中 周志文 
国家自然科学基金(60907005);广东省自然科学基金(S2012010010030);深圳市科技计划(CYJ20120615101957810;JCYJ20120821162230170)
介绍了几种利用复合技术提高光子晶体LED出光效率的方法。利用复合技术在LED上形成光子晶体结构和微腔结构、全方位反射镜、图形化衬底、AlGaN限制层或嵌入式光子晶体层复合的结构,可以改变LED的发光光路与内部导波模式分布,有效地提高...
关键词：光电子学 LED 嵌入式光子晶体 全方位反射镜 微腔 图形化蓝宝石衬底 
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