云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60276021)

国家自然科学基金(60276021): 作品数：25被引量：27H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：张海英尹军舰陈立强叶甜春李潇更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所四川大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《微电子学与计算机》《物理学报》《半导体技术》更多>>; 相关主题：MMIC磷化铟INPENHANCEMENT-MODE赝配高电子迁移率晶体管更多>>; 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

数字控制振荡器的设计和顶层模型: 《微电子学》2011年第6期775-779,共5页田欢欢刘振宇谢小娟李志强吴茹菲张海英; 国家自然科学基金资助项目(60276021);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2002CB311901); 采用0.18μm CMOS六层金属工艺,利用带中心抽头的对称螺旋电感和新型电容调谐阵列构成的LC谐振回路,设计并实现了一种低功耗低相位噪声的数字控制振荡器(DCO)。流片测试结果表明,相位噪声在1MHz偏移频率处为-119.77dBc/Hz。电路采用1.8...; 关键词：数字控制振荡器 LC谐振 LC振荡器仿真模型

全数字锁相环非数字模块仿真模型分析与建立被引量：2: 《微电子学与计算机》2011年第11期57-60,共4页田欢欢张海英; 国家自然科学基金项目(60276021);国家重点基础研究发展计划项目(G2002CB311901); 由于锁相环工作频率高,用SPICE对锁相环进行仿真,为了确保仿真精度,时间步长需要设的非常小,数据量大,仿真时间长.而在设计初期,往往并不需要很精确的结果.因此,为了提高全数字锁相环设计效率,有必要为其建立一个高效的仿真模型.在总结...; 关键词：振荡器全数字锁相环硬件描述语言仿真模型

一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现被引量：9: 《电子器件》2009年第3期566-569,共4页唐立田张海英黄清华李潇尹军舰; 国家自然科学基金资助(60276021);国家重点基础研究发展规划项目资助(G2002CB311901); 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标...; 关键词：跨阻放大器 RGC结构等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺

A 3GHz Low-Power and Low-Phase-Noise LC VCO with a Self-Biasing Current Source被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2008年第11期2106-2109,共4页陈普锋李志强黄水龙张海英叶甜春; the National Natural Science Foundation of China(No.60276021);the State Key Development Program for Basic Research of China(No.G2002CB311901)~~; A fully integrated 3GHz low-power and low-phase-noise voltage-controlled oscillator （VCO） with a self-biasing current source was implemented in a standard 0.18μm CMOS process. A trade-off between noise and power wa...; 关键词：3GHz LC VCO phase noise self-biasing current source CMOS

Gate Annealing of an Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT: 《Journal of Semiconductors》2008年第8期1487-1490,共4页黎明张海英徐静波李潇刘亮付晓君; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311901)资助项目~~; For enhancement-mode InGaP/A1GaAs/InGaAs PHEMTs,gate annealing is conducted between gate structures of Ti/Pt/Au and Pt/Ti/Pt/Au. Comparison is made after thermal annealing and an optimum annealing process is ob- taine...; 关键词：ENHANCEMENT-MODE InGaP/A1GaAs/InGaAs PHEMT ANNEAL threshold voltage ring oscillator

An Improved Charge-Averaging Charge Pump for a Fractional-N Frequency Synthesizer: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期913-916,共4页张健黄水龙李志强陈普峰张海英; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; An improved charge-averaging charge pump and the corresponding circuit implementation are presented. The charge-averaging charge pump proposed by Koo is analyzed and a new scheme is proposed. This new scheme decreases...; 关键词：charge-averaging charge pump SPUR

Design of a 2.5GHz Low Phase-Noise LC-VCO in 0.35μm SiGe BiCMOS: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期827-831,共5页张健陈立强李志强陈普峰张海英; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; This paper introduces a 2.5GHz low phase-noise cross-coupled LC-VCO realized in 0.35μm SiGe BiCMOS technology. The conventional definition of a VCO operating regime is revised from a new perspective. Analysis shows t...; 关键词：SiGe BiCMOS VCO INDUCTANCE phase noise

A High Purity Integer-N Frequency Synthesizer in 0.35μm SiGe BiCMOS: 《Journal of Semiconductors》2008年第4期655-659,共5页张健李志强陈立强陈普峰张海英; 国家自然科学基金项目(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; An integer-N frequency synthesizer in 0.35μm SiGe BiCMOS is presented. By implementing different building blocks with different types of devices,a high purity frequency synthesizer with excellent spur and phase noise...; 关键词：SiGe BiCMOS phase-locked loop high purity loop bandwidth

A Programmable 2.4GHz CMOS Multi-Modulus Frequency Divider被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期224-228,共5页李志强陈立强张健张海英; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; A programmable multi-modulus frequency divider is designed and implemented in a 0. 35μm CMOS process. The multi-modulus frequency divider is a single chip with two dividers in series,which are divided by 4 or 5 presc...; 关键词：PRESCALER frequency divider PROGRAMMABLE multi-modulus frequency synthesizer

单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第9期1424-1427,共4页徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311901)资助项目~~; 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显...; 关键词：单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压

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