国家重点基础研究发展计划(2007CB613403)

作品数：16被引量：30H指数：4
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Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性被引量：1
《发光学报》2011年第8期749-754,共6页刘海旭 孙甲明 孟凡杰 侯琼琼 
国家自然科学基金NSFC(60776036);教育部新世纪人才项目NCET(07-0459);"973"项目(2007CB613403)资助项目
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不...
关键词：掺铒纳米硅 电致发光 离子注入 MOS-LED 
多孔NiO纳米棒:可牺牲模板法制备及其磁性(英文)被引量：3
《材料科学与工程学报》2011年第4期506-512,共7页徐燕芳 杜宁 翟传鑫 张辉 杨德仁 
Financial supports from 973 Project (2007CB613403);863 Project(2007AA02Z476);NSFC(50802086);China Postdoctoral Science Foundation funded project (20090461350)
本文基于微乳液法制备了长度几微米、直径20-100纳米的NiC2O4纳米棒,以此为可牺牲模板得到多孔NiO纳米棒,并采用FESEM、TEM、HRTEM、XRD、FTIR对产物的形貌和结构进行了表征。研究表明,所制多孔NiO纳米棒是由NiO颗粒组成,且NiO颗粒的直...
关键词：多孔 NiO纳米棒 可牺牲模板 磁性性能 
硅基Zn2SiO4：ZnO薄膜的电致发光被引量：1
《材料科学与工程学报》2010年第4期498-500,513,共4页张瑞捷 陈培良 马向阳 杨德仁 
中国博士后科学基金资助项目(20080441223);浙江省自然科学基金资助项目(R4090055);973资助项目(2007CB613403);科技部国际合作资助项目(2008DFR50250)
利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片(p-Si)上制备Zn2SiO4∶ZnO(ZnO嵌入Zn2SiO4基体)薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn2SiO4∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明:器...
关键词：电致发光 氧化锌 硅酸锌 硅 
稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件被引量：5
《材料科学与工程学报》2009年第1期121-124,共4页孙甲明 张俊杰 杨阳 张新霞 刘海旭 W.Skorupa M.Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、44...
关键词：半导体光电子 电致发光 MOS器件 稀土离子 二氧化硅 
半绝缘Si/SiO_2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第1期129-131,152,共4页张新霞 孙甲明 张俊杰 杨阳 刘海旭 
"973计划"基金资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光。Si/SiO2超晶格的电致发光...
关键词：超晶格 电致发光 Si量子点 电子平均自由程 
纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响被引量：4
《材料科学与工程学报》2009年第1期135-138,共4页张俊杰 孙甲明 杨阳 张新霞 刘海旭 W.Skorupa M.Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的...
关键词：铒 电致发光 光致发光 二氧化硅 纳米硅 
离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第1期142-145,共4页杨阳 孙甲明 张俊杰 张新霞 刘海旭 W. Skorupa M. Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的...
关键词：束缚激子 离子注入 硼 退火 调制掺杂 
掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2009年第2期119-124,共6页李喆 张溪文 韩高荣 
国家重点基础研究发展计划(No.2007CB613403)(973计划);浙江省科技计划项目纳米技术攻关及示范应用专项(No.2006C11118);高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(No.705026)
本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙 
超声喷雾法制备In_2S_3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响被引量：5
《人工晶体学报》2008年第5期1069-1072,共4页陈雄飞 汪雷 杨德仁 
国家自然科学基金(No.60544006);国家"973"计划(No.2007CB613403)资助
采用超声喷雾法制备了硫化铟（In2S3）薄膜，并考察了后续快速热处理（rapid thermal process，RTP）对硫化铟薄膜性能的影响。采用扫描电镜（SEM），X射线衍射（XRD）等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征。结果表明：超...
关键词：硫化铟 快速热处理 超声喷雾法 
掺氮二氧化钛薄膜的介质阻挡放电化学气相沉积及其结构性能研究被引量：5
《真空科学与技术学报》2008年第4期318-324,共7页李喆 张溪文 韩高荣 
国家重点基础研究发展计划(No.2007CB613403);浙江省科技计划项目纳米技术攻关及示范应用专项(No.2006C11118);高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(No.705026)
采用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)法,以四异丙醇钛(TTIP)作为钛源,氨气(NH3)和笑气(N2O)分别作为氮源的气相反应先驱体,成功制备了不同掺杂量的掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。SEM、XRD、XPS和UV-Vis透射光谱研究表明:所制得的掺氮二氧...
关键词：介质阻挡放电化学气相沉积 掺氮TiO2薄膜 光催化性 亲水性 
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