教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-04-0896)

作品数：21被引量：69H指数：5
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相关作者：蒋亚东吴志明李伟魏雄邦廖乃镘更多>>
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相关期刊：《无机材料学报》《半导体技术》《电子科技大学学报》《物理化学学报》更多>>
相关主题：氧化钒薄膜CMOS非晶硅带隙基准源直流磁控溅射更多>>
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V2O5/V/V2O5薄膜退火条件对其的制备及特性的影响被引量：2
《光电子．激光》2010年第3期392-395,共4页罗振飞 吴志明 祝婕 王涛 蒋亚东 
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896)
利用间歇通O2的方式,采用射频磁控溅射法在Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜,研究了不同原位退火条件对薄膜阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。结果表明,经过退火处理后的V2O5/V/V2O5复合薄膜方阻值大大降低,电阻-温度曲线呈现良好的...
关键词：V2O5/V/V2O5复合薄膜 退火 扩散 
高性能CMOS采样保持电路的设计被引量：3
《微电子学与计算机》2010年第3期140-143,147,共5页吕坚 李华 周云 王璐霞 蒋亚东 
国家杰出青年基金项目(60425101);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-04-0896)
设计了一种基于0.5μmCMOS工艺的高线性、高精度、高速的采样/保持电路.采用一种仅由4个PMOS管、一个电容和一个NMOS开关构成的新型双边信号采样开关,有效地提高了双边信号采样电路的线性度并减小了电路的噪声和失调.仿真结果表明:输入...
关键词：CMOS开关 采样/保持电路 无杂散动态范围 非线性失真 
氧化钒薄膜成分及价态的深度刻蚀分析被引量：3
《材料导报》2009年第22期1-4,共4页魏雄邦 蒋亚东 吴志明 廖家轩 贾宇明 田忠 
电子科技大学校青年科学基金(JX0862);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0896)
采用直流反应磁控溅射法制备了厚度为500nm的氧化钒薄膜。采用X射线光电子能谱仪对制得的氧化钒薄膜进行了深度刻蚀分析。结果表明,随薄膜刻蚀深度的增加,薄膜内的氧钒比及钒离子价态发生了递变,当薄膜刻蚀深度小于80nm时,这一递变趋势...
关键词：氧化钒薄膜 深度刻蚀 成分 价态 
氧化钒薄膜的微观结构研究
《材料导报》2009年第20期13-16,共4页魏雄邦 蒋亚东 吴志明 廖家轩 贾宇明 田忠 
电子科技大学校青年科学基金(JX0862);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0896)
采用直流反应磁控溅射法在不同基片上制备了80nm和1000nm厚的氧化钒薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜及扫描电镜进行了薄膜微观结构分析。结果表明,薄膜的晶化受衬底影响较大,晶化随膜厚的增加而增强。不同衬底上生长的薄膜晶粒尺...
关键词：氧化钒薄膜 衬底 膜厚 微观结构 
图形反转工艺用于金属层剥离的研究被引量：6
《半导体技术》2009年第6期535-538,共4页陈德鹅 吴志明 李伟 王军 袁凯 蒋亚东 
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896)
研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘...
关键词：光刻 AZ-5214 剥离工艺 图形反转 断面模拟 
氮化硅薄膜热性能测试研究被引量：1
《电子科技大学学报》2009年第2期313-316,共4页蒲娟 吴志明 蒋亚东 熊昊 张良昌 
国家杰出青年基金(60425101);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-04-0896)
提出了一种可以测试氮化硅薄膜热导、热容的方法。该方法采用微机械加工技术制作成悬空结构,利用Pt薄膜来做加热与测温电阻。设计了合理的测试方案来减小测试过程中Pt薄膜附加热导、热容带来的影响。用Matlab模拟了结构的热响应特性。...
关键词：Pt薄膜 氮化硅薄膜 热导 热容 
微测辐射热计的等效模型
《现代电子技术》2009年第6期154-157,共4页王璐霞 吕坚 蒋亚东 
国家杰出青年基金资助项目(60425101);"教育部新世纪优秀人才计划"资助项目(NCET-04-0896)
微测辐射热计是一种应用前景广阔的非致冷型红外焦平面器件。这里用热平衡理论和噪声理论详细分析了微测辐射热计探测单元的热学、电学和噪声特性,建立了较为全面的微测辐射热计探测单元Spice模型,并对该模型进行了热学行为和噪声特性...
关键词：微测辐射热计 SPICE模型 热学行为 噪声特性 
非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计被引量：6
《电子科技大学学报》2009年第1期137-140,共4页吴志明 杨鹏 吕坚 蒋亚东 
国家杰出青年基金(60425101);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-04-0896)
设计了一种基于电流模式的具有非线性补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源,在传统电路的基础上增加一个三极管和两个电阻达到对双极型晶体管的发射结电压VBE中与温度相关的非线性项的补偿。电路采用CSMC0.5μmDPTMCMOS工艺制造。该电路结...
关键词：带隙基准源 CMOS 低功耗 低温漂 非线性补偿 
一种高精度曲率补偿带隙基准电路被引量：4
《微电子学》2009年第1期38-41,共4页李华 吕坚 蒋亚东 
国家杰出青年基金资助项目(60425101);"教育部新世纪优秀人才计划"资助项目(NCET-04-0896)
设计了一种高精度高阶补偿的带隙基准参考电压电路，通过Buck氏电压转移单元和与温度无关的电流对V雎进行高阶补偿。测试表明，温度在-45℃～125℃时，温度系数为5．9×10^-6V／℃，在3．5～5．5V之间的电压调整率为0．4mV／V。采用低...
关键词：CMOS 带隙基准源 高阶曲率补偿 低压共源共栅电流镜 
谱域法分析微带线电流分布特性
《电子科技大学学报》2009年第1期71-74,共4页王巍 陈丹 李文宬 李凯 孙江宏 
国家杰出青年基金(60425101);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-04-0896)
用改进的谱域法分析微带线的电流分布特性,并用切比雪夫多项式做基函数来表示切向电流分布,得到了较宽频率范围内的切向电流分布特性,再根据这些特性在不同频段上取适当数量的基函数对有效相对介电常数进行了计算,与其他数值计算方法相...
关键词：切比雪夫多项式 电流分布 微带线 谱域法 
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