国家重点基础研究发展计划(G2000-03-66)

作品数：7被引量：25H指数：3
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相关作者：余金中夏金松严清峰陈少武杨笛更多>>
相关机构：中国科学院山东大学中央民族大学更多>>
相关期刊：《光电子．激光》《功能材料与器件学报》《物理》《Journal of Semiconductors》更多>>
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一种新型2×2 SOI热光开关被引量：3
《光电子．激光》2007年第11期1280-1282,1285,共4页杨笛 余金中 陈少武 陈媛媛 
国家科技部"973"计划资助项目(G2000-03-66);中央民族大学青年教师科研基金资助项目(CUN07A)
设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利...
关键词：热光开关 配对多模干涉耦合器 SOI 开关时间 
硅基光电集成器件研究进展被引量：2
《物理》2005年第1期50-54,共5页孙飞 余金中 
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 -0 3 -66) ;中国高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 60 );国家自然科学基金 (批准号 :60 3 3 60 10 )资助项目
随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善 ,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作 ,外量子效率可达到 0 .1% ;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到 1GHz以上 ;而硅基光探测器对 130 0nm与 15 5 0nm波长的探测响应度也已分别达...
关键词：硅基 响应度 调制器 外量子效率 器件结构 发光器件 光电集成器件 研究进展 GH 分析 
SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展被引量：4
《中国科学（E辑）》2004年第10期1081-1093,共13页余金中 陈少武 夏金松 王章涛 樊中朝 李艳萍 刘敬伟 杨笛 陈媛媛 
国家"九七三"计划(批准号: G2000-03-66);"八六三"计划(批准号: 2002AA312060);国家自然科学重大基金(批准号: 69896260);重点基金(批准号: 60336010)资助项目
SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用...
关键词：SOI 光开关矩阵 光波导器件 单模 多模干涉耦合器 脊形波导 单片集成 导光 折射率差 衬底 
支撑光网络发展的硅基光电子技术研究被引量：4
《物理》2003年第12期810-815,共6页余金中 
国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 69990 5 40 );国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 -0 3 -66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 60 )资助项目
作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术 ,硅基光电子技术越来越受到重视 .文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果 :采用自行设计的UHV/CVD系统 ,成功...
关键词：全光网络 集成电路 半导体光电子器件 锗化硅/硅量子结构 量子阱 光电探测器 耦合器 
SOI光电子集成被引量：4
《功能材料与器件学报》2003年第1期1-7,共7页余金中 严清峰 夏金松 王小龙 王启明 
国家自然科学基金(No.69896260;69990540);国家科技部"973"计划(No.G2000-03-66)资助项目
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无...
关键词：SOI 光电子集成电路 光波导 SOI光波导开关 阵列波导光栅 SOI基光探测器 
载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第12期1308-1312,共5页严清峰 余金中 
国家自然科学基金 (批准号 :69990 5 40 ;698962 60 ) ;国家重点基础研究发展规划 (No.G2 0 0 0 -0 3 -66)资助项目~~
分析了载流子吸收对 SOI材料制作的 Y分支型 Mach- Zehnder干涉型电光调制器 /开关性能的影响 。
关键词：载流子吸收 SOI 等离子色散效应 Mach-Zehnder干涉 电光调制器 硅基光波导器件 工作原理 
快速响应SOI马赫曾德热光调制器被引量：6
《Journal of Semiconductors》2002年第5期509-512,共4页魏红振 余金中 夏金松 严清峰 刘忠立 房昌水 
国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 ;69990 5 40 ) ;国家科技部"973"计划 ( No.G2 0 0 0 -0 3-66)资助项目~~
给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2 0 μs,相应的功耗为 0 .3
关键词：集成光学 调制器 SOI 热光开关 
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