云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G2000028201)

国家重点基础研究发展计划(G2000028201): 作品数：12被引量：81H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：廖显伯孔光临刁宏伟张世斌王青更多>>; 相关机构：中国科学院北京工业大学中国地质大学（北京）景德镇陶瓷学院更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：非晶硅薄膜微结构等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜非晶硅更多>>; 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

Semi-quantitative study on the Staebler-Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system被引量：2: 《Chinese Physics B》2006年第4期813-817,共5页丁毅刘国汉陈光华贺德衍朱秀红张文理田凌马占杰; The method of numerical simulation is used to fit the relationship between the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and process rule of kinds of different charged defect states during i...; 关键词：hydrogenated amorphous silicon Staebler-Wronski effect microwave electron cyclotronresonant chemical vapour deposition charged defects

非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池被引量：16: 《物理学报》2005年第7期3327-3331,共5页郝会颖孔光临曾湘波许颖刁宏伟廖显伯; 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028201)资助的课题.~~; 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料...; 关键词：太阳能电池硅薄膜等离子体增强化学气相沉积相变过渡区域两相结构光电性质光致变化光电特性开路电压转换效率稳定性甚高频微结构本征层微晶硅非晶硅 AM1 制备测量

非晶微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟被引量：5: 《物理学报》2005年第7期3370-3374,共5页郝会颖孔光临曾湘波许颖刁宏伟廖显伯; 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028201)资助的课题.~~; 在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压...; 关键词：计算机模拟薄膜电池微晶非晶光谱响应光吸收系数本征层实验研究两相材料理论估算有效介质带隙宽度伏安特性开路电压短路电流最佳厚度填充因子模拟结果分析讨论薄膜材料叠层电池相比增大硅薄膜迁移率

非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜光学常数的透射谱表征被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2005年第1期34-37,共4页胡志华廖显伯; 国家重点基础研究发展计划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~; 报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序 .这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 ,所有公式均为解析表达式 ,便于进行数据处理 ,无须专用软件 ,使用Excel...; 关键词：光学常数透射谱非晶硅碳薄膜

氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量被引量：6: 《中国科学（G辑）》2004年第3期279-289,共11页胡跃辉陈光华吴越颖阴生毅高卓王青宋雪梅邓金祥; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号: G2000028201); 研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法，分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因．理论推导及实验结果表明，若将SiH2和(SiH2)。含量大小用结构因子F=(I840+I880)I2000来表示，则在F值较...; 关键词：氢化非晶硅薄膜氢含量红外透射谱摇摆模伸缩模基线拟合

Growth Rate of a-Si∶H Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第6期613-619,共7页胡跃辉吴越颖陈光华王青张文理阴生毅; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~; The magnetic field profiles,which are produced by three ways in the deposition chamber and plasma chamber of single coil divergent field MWECR CVD system,are investigated.The magnetic field gradient of these magnetic ...; 关键词：magnetic field gradient Lorentz fit a-Si∶H film deposition rate MWECR CVD deposition system

一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第5期530-534,共5页殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥; 国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~; 为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄...; 关键词：ECR—CVD 永磁体磁场氢化非晶硅

MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究被引量：3: 《物理学报》2004年第7期2263-2269,共7页胡跃辉阴生毅陈光华吴越颖周小明周健儿王青张文理; 国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~; 分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a ...; 关键词：梯度磁场洛伦兹拟合微波电子回旋共振化学气相沉积技术薄膜生长沉积速率

稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析被引量：8: 《物理学报》2003年第6期1465-1468,共4页徐艳月孔光临张世斌胡志华曾湘波刁宏伟廖显伯; 国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~; 利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶纳米晶两相结构硅薄膜 .薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高 ;光敏性也较好 ,光、暗电导比可以达到 10 4,此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响...; 关键词：nc-Si/a-Si:H薄膜等离子体增强化学气相沉积研制微结构光致变化氢化非晶硅薄膜性质

Light-Induced Changes in a-Si∶H Films Studied by Transient Photoconductivity: 《Journal of Semiconductors》2002年第8期794-799,共6页张世斌孔光临徐艳月王永谦刁宏伟廖显伯; 国家重点基础研究资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~; Light induced changes in a-Si∶H films are investigated by transient photoconductivity.The transient photoconductivity decay data can neither be fit well by common power-law for transient photocurrent in amorphous sem...; 关键词：amorphous silicon transient photoconductivity light-induced change

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