云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(51072076)

国家自然科学基金(51072076): 作品数：10被引量：59H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：王光绪刘军林江风益熊传兵汤英文更多>>; 相关机构：闽南师范大学南昌大学晶能光电(江西)有限公司更多>>; 相关期刊：《光学学报》《发光学报》《物理学报》《激光与光电子学进展》更多>>; 相关主题：氮化镓硅衬底陶瓷LED芯片GAN基发光二极管更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

大功率倒装LED芯片陶瓷封装器件顶面微区发光均匀性被引量：3: 《发光学报》2021年第9期1436-1445,共10页李晓珍熊传兵汤英文郝冬辉; 国家自然科学基金(51072076);福建省科技厅产学研合作项目(2018H6015);福建省高校创新团队培育计划(201821)资助项目。; 高功率密度的陶瓷封装LED器件在大电流工作时,其顶面发光均匀性是该类器件的关键指标。本文在3.5 mm×3.5 mm的氮化铝陶瓷基板上金锡共晶了1.905 mm×1.830 mm(75 mil×72 mil)的LED倒装蓝光大功率芯片,然后分别制作成蓝光器件和白光器...; 关键词：微区发光倒装芯片电极孔电极间隙

共晶芯片数及芯片位置对陶瓷共晶封装LED发光性能的影响被引量：7: 《发光学报》2020年第11期1421-1430,共10页王世龙熊传兵汤英文李晓珍刘倩; 国家自然科学基金(51072076);福建省科技厅产学研合作项目(2018H6015);福建省高校创新团队培育计划(201821)资助项目。; 在大小为5.80 mm×2.55 mm×0.50 mm的8芯陶瓷封装基板上分别共晶了8颗和4颗1.125 mm×1.125 mm(45 mil×45 mil)的倒装蓝光LED芯片,在4.15 mm×2.55 mm×0.50 mm的6芯基板上共晶了6颗和3颗同规格芯片。在部分样品芯片侧边涂围了高反射...; 关键词：陶瓷封装金锡共晶热平衡热电分离

多芯CSP-LED芯片间距对热拥堵的影响被引量：5: 《发光学报》2020年第3期308-315,共8页刘倩熊传兵汤英文李晓珍王世龙; 国家自然科学基金(51072076);福建省科技厅产学合作项目(2018H6015);福建省高校创新团队培育计划(201821)资助项目。; 在铝基板上贴片了不同间距的四颗芯片级封装发光二级管(CSP-LED)模组,测试了不同贴片间距CSP-LED模组的EL光谱、流明效率、光通量、相关色温等光电参数。结果显示,在小电流(20~400 mA)下,随着注入电流的增大,不同排布间距的蓝、白光样...; 关键词：芯片级封装发光二极管热拥堵排布间距

基于体素下采样和关键点提取的点云自动配准被引量：33: 《激光与光电子学进展》2020年第4期101-109,共9页张彬熊传兵; 国家自然科学基金(51072076);福建省科技厅产学合作项目(2018H6015);福建省高校创新团队培育计划(201821)。; 针对最近点迭代算法(ICP)在大数据点云下配准效率低及对配准点云初始位置依赖性强的缺点,提出了一种基于快速点云粗配准与ICP算法相结合的方法。根据体素对原始点云进行下采样,结合法向量特征提取关键点,使用快速点特征直方图(FPFH)算...; 关键词：图像处理体素关键点特征提取点云配准随机采样一致性算法

Influence of growth rate on the carbon contamination and luminescence of GaN grown on silicon被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2015年第9期26-29,共4页毛清华刘军林吴小明张建立熊传兵莫春兰张萌江风益; Project supported by the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(No.61334001);the National Natural Science Foundation of China(No.51072076);the National High Technology Research and Development Program of China(Nos.2011AA03A101,2012AA041002);the National Key Technology Research and Development Program of China(No.2011BAE32B01);the Fund for Less Developed Regions of the National Natural Science Foundation of China(No.11364034); The unintentional carbon doping concentration of GaN films grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition （LP-MOCVD） depends strongly on the growth rate. The concentration of carbon is varied from 2.9...; 关键词：GaN optoelectronic devices carbon contamination high growth rate yellow luminescence

图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1: 《物理学报》2015年第18期446-455,共10页张超宇熊传兵汤英文黄斌斌黄基锋王光绪刘军林江风益; 国家自然科学基金(批准号:51072076,11364034,61334001,21406076,61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101,2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~; 研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前...; 关键词：氮化镓发光二极管自由支撑光致发光

硅衬底氮化镓基LED薄膜转移至柔性黏结层基板后其应力及发光性能变化的研究被引量：2: 《物理学报》2015年第17期355-362,共8页黄斌斌熊传兵汤英文张超宇黄基锋王光绪刘军林江风益; 国家自然科学基金(批准号:51072076;11364034;61334001;21406076;61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101;2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~; 本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜转移至含有柔性黏结层的基板上,获得了不受衬底和支撑基板束缚的LED薄膜.利用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)研究了薄膜转移前后的应力变化,同时对其光致发光(PL)光谱的特性...; 关键词：氮化镓柔性基板倒易空间光致发光

硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究被引量：1: 《物理学报》2014年第21期380-386,共7页黄斌斌熊传兵张超宇黄基锋王光绪汤英文全知觉徐龙权张萌王立方文卿刘军林江风益; 国家自然科学基金(批准号:51072076;11364034;61334001);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101;2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~; 本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究.结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL...; 关键词：GAN 热膨胀系数内量子效率热导率

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响被引量：5: 《光学学报》2014年第2期311-316,共6页刘军林熊传兵程海英张建立毛清华吴小明全知觉王小兰王光绪莫春兰江风益; 国家863计划(2011AA03A101;2012AA041002);国家自然科学基金(51072076);国家自然科学基金重点项目(61334001);国家自然科学基金地区科学基金(11364034);国家科技支撑计划(2011BAE32B01); 利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(...; 关键词：薄膜氮化镓氮化铝插入层硅衬底黄带发光

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：2: 《物理学报》2011年第7期808-813,共6页王光绪陶喜霞熊传兵刘军林封飞飞张萌江风益; 教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730);国家自然科学基金(批准号:51072076,61040060)资助的课题~~; 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬...; 关键词：氮化镓发光二极管.牺牲Ni退火 p型接触

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家自然科学基金(51072076)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家自然科学基金(51072076)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索