中国博士后科学基金(20080430825)

作品数：5被引量：8H指数：2
导出分析报告
相关作者：何小琦陆裕东恩云飞王歆庄志强更多>>
相关机构：华南理工大学信息产业部电子第五研究所工业和信息化部电子第五研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《物理学报》《华南理工大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关主题：电迁移倒装芯片互连结构SNAGCU集成电路封装更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
电迁移对倒装Sn3.0Ag0.5Cu焊点热冲击性能的影响被引量：1
《稀有金属材料与工程》2011年第S2期206-209,共4页陆裕东 成俊 恩云飞 何小琦 王歆 庄志强 
国际科技合作与交流重大专项(2010DFB10070);国家预研基金项目(51323060305);中国博士后科学基金(20080430825)
采用Sn3.0Ag0.5Cu倒装芯片研究由电迁移导致的互连焊点显微结构的变化对倒装焊点热冲击性能及失效位置和形态的影响,分析导致电迁移前后焊点热冲击失效界面变化的微观机制。单纯热冲击应力作用下倒装焊点的开裂失效位于Al互连与凸点下...
关键词：SNAGCU 焊点 电迁移 热冲击 失效 
电应力对Al/SnAgCu/Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响
《华南理工大学学报（自然科学版）》2011年第11期120-124,共5页陆裕东 万明 恩云飞 王歆 成俊 何小琦 
科技部国际科技合作与交流重大项目(2010DFB10070);国家预研基金资助项目(51323060305);中国博士后科学基金资助项目(20080430825)
连结构的剪切失效位置和失效模式,分析了两种不同应力条件下互连结构失效形貌间的差异,研究并确定了高电流应力导致的电迁移对Al/SnAgCu/Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响.结果表明:高温老化实验后,倒装凸点互连结构中出现Al金属/焊...
关键词：SNAGCU 凸点 互连结构 机械强度 断裂模式 金属间化合物 电迁移 
电迁移引起的倒装芯片互连失效被引量：2
《固体电子学研究与进展》2010年第2期313-316,共4页陆裕东 何小琦 恩云飞 
国家预研基金资助项目(51323060305);中国博士后科学基金资助项目(20080430825);工业和信息化部电子第五研究所科技发展基金资助项目(XF0726130)
采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,A...
关键词：倒装芯片 电迁移 互连 失效 
倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散被引量：2
《物理学报》2010年第5期3438-3444,共7页陆裕东 何小琦 恩云飞 王歆 庄志强 
中国博士后科学基金(批准号:20080430825);国家预研基金(批准号:51323060305);信息产业部电子第五研究所科技发展基金(批准号:XF0726130)资助的课题~~
采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结构中受电应力和化学势梯度作用的各相金属原子的扩散行为.在电迁移主导作用下,Ni(V)镀层中的Ni原子的快...
关键词：倒装芯片 凸点 电迁移 扩散 
三维封装中引线键合技术的实现与可靠性被引量：3
《微电子学》2009年第5期710-713,共4页陆裕东 何小琦 恩云飞 
中国博士后科学基金资助项目(20080430825);"十一五"预先研究项目(5132306);信息产业部电子第五研究所科技发展基金资助项目(XF0726130)
结合半导体封装的发展,研究了低线弧、叠层键合、引线上芯片、外悬芯片、长距离键合和双面键合6种引线互连封装技术;分析了各种引线键合的技术特点和可靠性。传统的引线键合技术通过不断地改进,成为三维高密度封装中的通用互连技术,新...
关键词：引线键合 集成电路封装 可靠性 失效分析 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部