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国家自然科学基金(60136010): 作品数：13被引量：27H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：李爱珍张永刚刘俊岐王占国刘峰奇更多>>; 相关机构：中国科学院更多>>; 相关期刊：《稀有金属》《物理学报》《红外与毫米波学报》《微纳电子技术》更多>>; 相关主题：半导体激光器INGAASSB分子束外延量子级联激光器量子阱激光器更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计被引量：3: 《功能材料与器件学报》2008年第3期614-618,共5页刘盛张永刚; 国家"863"计划资助项目(No.2002AA313040);国家"973"计划资助项目(No.G20000683);国家自然科学基金重点资助项目(No.60136010); 采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的...; 关键词：量子阱结构半导体激光器带间跃迁

气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)被引量：1: 《红外与毫米波学报》2007年第1期1-4,9,共5页李华李爱珍张永刚齐鸣; Supported by the National Natural Science Foundation of China(60136010,60676026,60406008);National 973 Project of China(2006CB604903); 研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,...; 关键词：气态源分子束外延 ALGAAS Si掺杂电学性质组分

Waveguide Optimization for a 9.0μm GaAs-Based Quantum Cascade Laser: 《Journal of Semiconductors》2007年第1期31-35,共5页李路刘峰奇邵烨刘俊岐王占国; 国家杰出青年科学基金(批准号:60525406);国家自然科学基金(批准号:90101002,60136010);国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683-2);国际高技术研究发展计划(批准号:2001AA311140和2005AA31G040)资助项目~~; Improved waveguide designs for 9.0μm GaAs-based quantum cascade laser （QCL） structures are presented. Modal losses and confinement factors are calculated for TM modes with the transfer matrix method （TMM） and eff...; 关键词：quantum cascade laser transfer matrix method effective index method

短腔长单模量子级联激光器: 《Journal of Semiconductors》2006年第4期679-682,共4页刘峰奇郭瑜李路邵晔刘俊岐路秀真王占国; 国家杰出青年科学基金(批准号:60525406);国家自然科学基金重点项目(批准号:60136010);国家重点基础研究发展计划(批准号:G200006832);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA311140,2005AA31G040)资助项目~~; 报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长...; 关键词：应变补偿量子级联激光器短腔长单模激射

Room Temperature Operation of Strain-Compensated 5.5μm Quantum Cascade Lasers: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2267-2270,共4页路秀真刘峰奇刘俊岐金鹏王占国; 国家自然科学基金(批准号:90101002,60136010);国家重点基础研究专项基金(批准号:G200006832);国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA31G040)资助项目~~; Room temperature operation is an important criterion for high performance of quantum cascade lasers. A strain-compensated quantum cascade laser（λ≈5.5μm） with optimized waveguide structure lasing at room temperatu...; 关键词：quantum cascade laser molecular beam epitaxy lasing performance

InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究被引量：2: 《功能材料与器件学报》2005年第2期183-186,共4页唐田张永刚郑燕兰李爱珍; 国家863计划项目(No.2002AA313040);国家973计划项目(No.G20000683);国家自然科学基金重点项目(No.60136010); 研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一...; 关键词：INGAASSB 分子束外延多量子阱光致发光

Ga As/Al Ga As量子级联激光器被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第3期624-626,共3页刘俊岐路秀真郭瑜刘峰奇王占国; 国家自然科学基金(批准号: 60136010);国家高技术研究发展计划(批准号: 2001AA311140);国家重点基础研究发展规划(批准号G20000683 02)资助项目~~; 利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.; 关键词：量子级联激光器分子束外延有源区注入区

InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计被引量：3: 《半导体光电》2004年第5期376-379,共4页唐田张永刚郑燕兰李爱珍; 国家"863"计划资助项目(2002AA313040);国家"97 3"计划资助项目 (G2 0 0 0 0 683 ) ;国家自然科学基金重点资助项目 (60 1 3 60 1 0 ); 　采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果...; 关键词：量子阱激光器子带跃迁锑化物

GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展被引量：4: 《微纳电子技术》2004年第8期6-13,共8页刘俊岐刘峰奇车晓玲黄秀颀雷文王占国; 国家重点基础研究发展规划(973)项目(G20000683-02);国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2001AA311140);国家自然科学基金重点项目(60136010);国家自然科学基金重大研究计划(光电信息功能材料)项目资助(90101002); GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。; 关键词：量子级联激光器注入区有源区波导谐振腔

半导体激光器的热场分析及热特性表征被引量：7: 《稀有金属》2004年第3期551-553,共3页张永刚何友军南矿军李爱珍; 国家"973" ( 2 0 0 0 0 683 0 2 0 3 ) ;国家"863" ( 2 0 0 1AA3 1115 0 ;2 0 0 2AA3 13 0 40 );国家自然科学基金重点项目 ( 60 13 60 10 )资助; 基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采...; 关键词：半导体激光器热场分析热阻有限元

国家自然科学基金(60136010)