河北省自然科学基金(599033)

作品数：9被引量：28H指数：4
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相关作者：刘彩池徐岳生王海云唐蕾郝景臣更多>>
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相关期刊：《稀有金属》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《稀有金属材料与工程》更多>>
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非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷被引量：1
《稀有金属材料与工程》2006年第10期1544-1547,共4页孙卫忠 牛新环 王海云 刘彩池 徐岳生 
国家自然科学基金(60276009);中国人民解放军总装备部(00JS02.2.1QT4501);河北省自然科学基金(599033)资助项目
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运...
关键词：SI-GAAS 微缺陷 位错 AB腐蚀 杂质碳 
半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究被引量：4
《物理学报》2005年第4期1904-1908,共5页徐岳生 杨新荣 王海云 唐蕾 刘彩池 魏欣 覃道志 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);国防预研基金 (批准号 :0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助的课题~~
通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究 .实验结果表明 ...
关键词：半绝缘砷化镓 胞状位错 碳受主 微区分布 晶体生长 
半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期72-77,共6页徐岳生 付生辉 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 9);中国人民解放军总装备部预研资金 (批准号 :0 0JS0 2.2.1QT45 0 1);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助项目~~
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺...
关键词：LEC SI-GAAS 位错 AB-EPD 跨导 饱和漏电流 夹断电压 
磁场直拉硅单晶生长被引量：13
《中国科学（E辑）》2004年第5期481-492,共12页徐岳生 刘彩池 王海云 张维连 杨庆新 李养贤 任丙彦 刘福贵 
国家自然科学基金(批准号:59972007);国家科技部攀登计划(批准号:504[2000]);河北省自然科学基金(批准号:599033)资助项目
研究了磁场直拉硅单晶生长.采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15T时,熔硅中杂质输运受扩散控制.熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流;硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善;控制M...
关键词：磁场 等效微重力 扩散控制 Marangoni对流 单晶生长 直拉硅 
Growth of Czochralski silicon under magnetic field被引量：1
《Science China(Technological Sciences)》2004年第3期281-292,共12页XU Yuesheng LIU Caichi WANG Haiyun ZHANG Weilian YANG Qingxin LI Yangxian REN Binyan LIU Fugui 
the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 59972007); the Ministry of National Science and Technology and the Natural Science Foundation of Hebei Province (No.599033).
Growth of Czochralski (CZ) silicon crystals under the magnetic field induced by a cusp-shaped permanent magnet of NdFeB has been investigated. It is found that the mass transport in silicon melt was controlled by its ...
关键词：Magnetic field equivalent micro-gravity diffusion-controlled mechanism Marangoni convection. 
半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
《稀有金属》2004年第3期544-546,共3页徐岳生 杨新荣 郭华锋 唐蕾 刘彩池 王海云 魏欣 
国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1) ;河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目
通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错...
关键词：SI-GAAS 位错 碳含量 能谱分析 
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究被引量：4
《稀有金属》2004年第3期547-550,共4页王海云 张春玲 唐蕾 刘彩池 申玉田 徐岳生 覃道志 
国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 2 1QT45 0 1) ;河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目
砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI GaAs单晶中的微缺陷包含有...
关键词：砷化镓 半导体材料 SI-GAAS 单晶 微缺陷 小位错回线 沉淀成核中心 
用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构被引量：3
《物理学报》2004年第2期651-655,共5页徐岳生 唐蕾 王海云 刘彩池 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);中国人民解放军总装备部 (批准号 :0 0J5 0 2;2 .1.QT45 0 1);科技部攀登计划 (批准号 :2 0 0 0J5 0 4);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助的课题~~
通过x射线异常透射形貌 (XRT) ,化学腐蚀显微观察和电子显微技术 (TEM)研究了液封直拉 (LEC)法生长的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构 ,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑 ,分析了该结构的...
关键词：胞状结构 小角度晶界 电子显微技术 砷化镓晶体 半导体材料 X射线衍射分析 液封直拉法 半绝缘砷化镓 位错 
半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷被引量：6
《Journal of Semiconductors》2003年第7期718-722,共5页徐岳生 张春玲 刘彩池 唐蕾 王海云 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);中国人民解放军总装备部资助项目 (Nos.0 0 J5 0 2 ;2 .1.QT45 0 1);科技部攀登计划 (No.2 0 0 0 J5 0 4);河北省自然科学基金 (No.5 990 3 3 )资助项目~~
通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于 75 mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域 ,一般都有由...
关键词：SI-GAAS 微缺陷 位错 
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