国家高技术研究发展计划(2002AA3Z1110)

作品数：6被引量：22H指数：3
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相关机构：北京有色金属研究总院清华大学更多>>
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Effect of Rapid Thermal Annealing Ambient on Gettering Efficiency and Surface Microstructure in 300mm CZ Silicon Wafers
《Journal of Semiconductors》2008年第5期822-826,共5页冯泉林 何自强 常青 周旗钢 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA3Z1110)~~
The effect of rapid thermal annealing （RTA） ambient on denuded zone and oxygen precipitates in Czochralski （CZ） silicon wafers is studied in this paper. N2 and a N2/NH3 mixture are used as RTA ambient. It is demon...
关键词：300mm CZ silicon wafer denuded zone intrinsic gettering RTA XPS AFM 
砂轮粒径对300mm Si片双面磨削影响的研究被引量：7
《半导体技术》2008年第4期289-291,共3页葛钟 闫志瑞 库黎明 陈海滨 冯泉林 张国栋 盛方毓 索思卓 
国家"863"十五重大专项支持(2002AA3Z1110)
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕...
关键词：硅片 双面磨削 磨削印痕 局部平整度 
降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺被引量：6
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1331-1334,共4页库黎明 王敬 周旗钢 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA3Z1110)~~
利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的...
关键词：预氧化 氧化层 各向异性腐蚀 微粗糙度 
双面抛光工艺中压力对300mm硅片表面形貌的影响被引量：8
《稀有金属》2006年第2期134-137,共4页库黎明 李耀东 周旗钢 王敬 
国家"863"十五重大专项项目支持(2002AA3Z1110)
利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间...
关键词：硅片 双面抛光 非接触式光学轮廓仪 表面形貌 
快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第1期68-72,共5页冯泉林 史训达 刘斌 刘佐星 王敬 周旗钢 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA3Z1110)~~
300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NH3混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NH3混合气氛处理的硅片表层...
关键词：洁净区 氧沉淀 单晶硅片 内吸杂 RTA 
N_2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响被引量：1
《稀有金属》2005年第6期810-813,共4页冯泉林 周旗钢 王敬 刘斌 刘佐星 
国家863项目资助(2002AA3Z1110)
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4 h+1000℃,16 h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒...
关键词：硅抛光片 洁净区 氧沉淀 内吸杂 原子力显微镜 微粗糙度 
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