云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2002CB3119)

国家重点基础研究发展计划(2002CB3119): 作品数：12被引量：48H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：郝跃张进城冯倩王冲杨燕更多>>; 相关机构：西安电子科技大学教育部北京时代民芯科技有限公司更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《电子科技》《半导体技术》《物理学报》更多>>; 相关主题：ALGAN/GANALGAN/GAN_HEMT高电子迁移率晶体管HEMT电流崩塌更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响: 《Journal of Semiconductors》2008年第3期521-525,共5页高志远郝跃李培咸张进城; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB3119;513270407)~~; 用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少.两步...; 关键词：GAN 穿透位错非辐射复合发光效率

Observation of Dislocation Etch Pits in GaN Epilayers by Atomic Force Microscopy and Scanning Electron Microscopy被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第4期473-479,共7页高志远郝跃张进城张金凤陈海峰倪金玉; 国家重大基础研究发展计划(批准号:2002CB3119,513270407);国防科技重点实验室基金(批准号:51432030204DZ0101,51433040105DZ0102)资助项目~~; A combination of atomic force microscopy （AFM） and scanning electron microscopy （SEM） is used to characterize dislocation etch pits in Si-doped GaN epilayer etched by molten KOH. Three types of etch pits with diff...; 关键词：KOH etching DISLOCATION GAN polarity

辐射感生应力弛豫对Al_mGa_(1-m)N/GaN HEMT电学特性的影响被引量：3: 《物理学报》2007年第6期3393-3399,共7页范隆郝跃; 国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2002CB3119)资助的课题~~; 基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不...; 关键词：AlmGa1-mN/GaN HEMT 辐射损伤应力弛豫

ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响: 《半导体技术》2007年第1期40-42,81,共4页刘杰王冲冯倩张进诚郝跃杨艳龚欣; 国家973计划项目(513270407);国家科技预研项目(41308060106);国家科技重点实验室基金项目(51433040105DZ0102);国家973重点基础研究发展计划(2002CB3119); 通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属...; 关键词：感应耦合等离子体氮化镓肖特基接触刻蚀损伤退火

钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第1期73-77,共5页马香柏张进城郭亮良冯倩郝跃; 国家重大基础研究发展计划(批准号:2002CB3119;513270407);国防科技重点实验室基金(批准号:51432030204DZ0101;51433040105DZ0102)资助项目~~; 由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以...; 关键词：电流崩塌钝化场板结构

微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展: 《电子科技》2006年第10期1-4,共4页马香柏郝跃张进城; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB3119);国防科技重点实验室基金项目(51433040105DZ0102);国防973计划项目(513270407);国防科技重点实验室基金项目(51432030204DZ0101)资助研究。; 文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaNHEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向。; 关键词：ALGAN/GAN 微波功率

AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究: 《Journal of Semiconductors》2006年第8期1436-1440,共5页王冲张进城郝跃杨燕; 国防973计划(批准号:513270407);国防科技预研(批准号:41308060106);国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102);国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB3119);西安电子科技大学青年科研工作站(批准号:03002)资助项目~~; 采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s40V高场应力后,蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT饱和漏电流下降5·2%,跨导下降7·6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流...; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管热电子电子陷阱

AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究被引量：6: 《物理学报》2006年第11期6085-6089,共5页王冲冯倩郝跃万辉; 重大科技预研项目(批准号:41308060106);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2002CB3119)资助的课题.~~; 采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200—600℃5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度...; 关键词：ALGAN/GAN 肖特基接触表面处理退火

4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进: 《功能材料与器件学报》2006年第3期247-250,共4页王冲张进城郝跃杨燕; 重大科技预研项目(No.41308060106);国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(No.2002CB3119);西安电子科技大学青年工作站项目资助(No.03002#); 采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底A lGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性。与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时...; 关键词：高电子迁移率晶体管台面隔离泄漏电流

变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第5期864-868,共5页王冲张金风杨燕郝跃冯倩张进城; 国防973计划项目(批准号:513270407);国防科技预研基金(批准号:41308060106);;国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB3119)资助项目~~; 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25-200℃之间的变化，分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流...; 关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气传输线模型泄漏电流

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家重点基础研究发展计划(2002CB3119)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家重点基础研究发展计划(2002CB3119)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索