云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60206006)

国家自然科学基金(60206006): 作品数：39被引量：79H指数：7; 导出分析报告; 相关作者：刘红侠郝跃栾苏珍吴笑峰韩晓亮更多>>; 相关机构：西安电子科技大学湖南科技大学中国电子科技集团第十三研究所中华人民共和国工业和信息化部更多>>; 相关期刊：《电子与信息学报》《中南大学学报（自然科学版）》《微电子学》《西安电子科技大学学报》更多>>; 相关主题：可靠性NBTISOI_MOSFETHCIPMOSFET更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

高精度Σ-ΔADC中的数字抽取滤波器设计被引量：7: 《中南大学学报（自然科学版）》2010年第3期1037-1041,共5页吴笑峰刘红侠李迪胡仕刚石立春; 国家自然科学基金资助项目(60206006);教育部新世纪优秀人才计划项目(NCET-05-0851);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200701); 设计1个应用于高精度sigma-delta模数转换器(Σ-ΔADC)的数字抽取滤波器。数字抽取滤波器采用0.35μm工艺实现,工作电压为5V。该滤波器采用多级结构,由级联梳状滤波器、补偿滤波器和窄带有限冲击响应半带滤波器组成。通过对各级滤波器...; 关键词：Σ-ΔADC模数转换器调制器降采样数字滤波器

IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究被引量：1: 《电子与信息学报》2010年第1期210-213,共4页周文刘红侠匡潜玮高博曹磊; 国家自然科学基金(60206006);教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-05-0851);西安应用材料创新基金(XA-AM-200701)资助课题; 该文研究了铜互连线中的多余物缺陷对两根相邻的互连线间信号的串扰,提出了互连线之间的多余物缺陷和互连线之间的互容、互感模型,用于定量的计算缺陷对串扰的影响。提出了把缺陷部分单独看作一段RLC电路模型,通过提出的模型研究了不同...; 关键词：集成电路多余物缺陷信号串扰铜互连可靠性

A bootstrapped switch employing a new clock feed-through compensation technique: 《Journal of Semiconductors》2009年第12期93-102,共10页吴笑峰刘红侠苏立郝跃李迪胡仕刚; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60206006);the New Century Excellent Talents of Ministry of Education of China(No.NCET-05-0851);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China Program(No.708083);the Applied Materials Innovation Fund(No.XA-AM-200701); Nonlinearity caused by the clock feed-through of a bootstrapped switch and its compensation techniques are analyzed. All kinds of clock feed-through compensation configurations and their drawbacks are also investigate...; 关键词：bootstrapped switch clock feed-through compensation delay path match

0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计被引量：7: 《西安电子科技大学学报》2009年第5期867-870,926,共5页刘红侠刘青山; 国家自然科学基金资助(60206006);教育部新世纪优秀人才计划资助(681231366);国家部委预研基金资助(51308040103);西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200701); 为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速...; 关键词：静电放电保护电路反馈动态传输

Performance investigations of novel dual-material gate(DMG) MOSFET with dielectric pockets(DP): 《Science China(Technological Sciences)》2009年第8期2400-2405,共6页LUAN SuZhen LIU HongXia JIA RenXu; Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60206006);Program for the New Century Excellent Talents of Ministry of Education of China (Grant No. 681231366);the National Defense Pre-Research Foundation of China (Grant No. 51308040103); Dual-material gate MOSFET with dielectric pockets (DMGDP MOSFET) is proposed to eliminate the potential weakness of the DP MOSFET for CMOS scaling toward the 32 nm gate length and beyond. The short-channel effects (SC...; 关键词：dual material GATE (DMG) DIELECTRIC pockets (DP) SHORT-CHANNEL effect (SCE) CUTOFF frequency

有丢失物缺陷的铜互连线中位寿命的定量研究: 《物理学报》2009年第11期7716-7721,共6页周文刘红侠; 国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:140502083);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-05-0851);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701)资助的课题~~; 本文研究了六层互连线上的丢失物缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,提出了各层互连线缺陷处的温度模型和缺陷在不同互连层的中位寿命模型,能够定量地计算缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,给出了提高互连线中位寿命的方法.研究结果表明:...; 关键词：丢失物缺陷中位寿命可靠性铜互连

新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析被引量：8: 《中南大学学报（自然科学版）》2009年第5期1354-1359,共6页吴笑峰刘红侠石立春李迪胡仕刚; 国家自然科学基金资助项目(60206006);教育部新世纪优秀人才计划项目(NCET-05-0851);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200701); 为了降低sigma-delta模数转换器功耗,针对应用于sigma-delta模数转换器环境的UMC 0.18μm工艺,提出1种由参考电压产生电路、预放大器、锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器。该比较器中输...; 关键词：预放大锁存比较器 sigma-deltaADC 输出采样器 CMOS工艺

用于流水线ADC的预运放-锁存比较器的分析与设计被引量：2: 《湖南大学学报（自然科学版）》2008年第11期49-53,共5页吴笑峰刘红侠石立春周清军胡仕刚匡潜玮; 国家自然科学基金资助项目(60206006);国防预研基金资助项目(51308040103);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200701); 提出了一种应用于开关电容流水线模数转换器的CMOS预运放-锁存比较器.该比较器采用UMC混合/射频0.18μm 1P6M P衬底双阱CMOS工艺设计,工作电压为1.8 V.该比较器的灵敏度为0.215 mV,最大失调电压为12 mV,差分输入动态范围为1.8 V,分辨率...; 关键词：预运放-锁存比较器流水线ADC 踢回噪声分析与设计

嵌入式SRAM的优化修复方法及应用被引量：3: 《计算机辅助设计与图形学学报》2008年第10期1276-1281,共6页周清军刘红侠吴笑峰王江安胡仕刚; 国家自然科学基金(60206006);国防预研基金(51308040103);西安应用材料创新基金(XA-AM-200701); 为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定...; 关键词：高成品率最佳冗余逻辑成品率边界因子低功耗电源开启或关闭状态

Quantum compact model for thin-body double-gate Schottky barrier MOSFETs: 《Chinese Physics B》2008年第8期3077-3082,共6页栾苏珍刘红侠; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60206006);the Program for New Century Excellent Talents of Ministry of Education of China (Grant No NCET-05-085);the Xi'an Applied Materials Innovation Fund (Grant No XA-AM-200701); Nanoscale Schottky barrier metal oxide semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） are explored by using quantum mechanism effects for thin-body devices. The results suggest that for small nonnegative Schottky ...; 关键词：Schottky barrier quantum mechanism effects effective mass electron density

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