国家重点基础研究发展计划(2006CB604906)

作品数：13被引量：52H指数：4
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相关机构：浙江大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所亚洲大学宝鸡文理学院更多>>
相关期刊：《材料导报》《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》《无机材料学报》更多>>
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空气中氧化锌基可循环使用光催化剂（英文）
《发光学报》2017年第7期911-916,共6页余冰冰 徐志堃 王飞 王云鹏 赵东旭 
Supported by Key Project of National Natural Science Foundation of China(50532050);National Natural Science Foundation of China for Youth(60506014);"973" National Basic Research Program of China(2006CB604906)~~
采用水热方法在蓝宝石衬底上制备出垂直衬底生长的氧化锌纳米柱阵列。分别通过扫描电镜、X射线衍射和光致发光光谱等表征了氧化锌纳米柱阵列的形貌、结构和光学性质。这种纳米柱在空气中对甲基紫显示出良好的光催化性能。空气中的氧气...
关键词：氧化锌 水热方法 光催化剂 
ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展被引量：5
《材料导报》2010年第15期44-46,共3页唐海平 马权 何海平 叶志镇 Park Ji-Yong 
国家科技部“973”项目(2006CB604906);宝鸡文理学院院级重点项目(ZK072)
随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一。主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向。
关键词：ZNO 纳米材料 P型掺杂 
纳米ZnO阵列场发射性能研究
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2009年第4期19-23,共5页唐海平 叶志镇 PAR KJi-yong 
国家科技部"973"项目:半导体光电功能材料的基础研究(No.2006CB604906);宝鸡文理学院院级重点项目:ZnO纳米材料的生长研究(No.ZK072)
目的为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标。方法采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析。结果和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈...
关键词：ZNO 场发射 开启场强 阈值场强 
Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1433-1435,共3页叶志镇 林时胜 何海平 顾修全 陈凌翔 吕建国 黄靖云 朱丽萍 汪雷 张银珠 李先杭 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906);国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推...
关键词：LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/ZnMgO多量子阱 
MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质被引量：3
《发光学报》2008年第6期1027-1030,共4页赵春雨 张吉英 王晓华 申德振 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 
国家重点基金(50532050);国家“973”计划(2008CB307105,2006CB604906);国家自然科学基金(60676059,60506014);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-07-0122)资助项目
采用射频磁控溅射在石英衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜,利用蚀刻技术制备了MSM结构的光导型紫外探测器。在3V偏压下,器件的暗电流小于250nA,光响应峰值在370nm,响应度是0.34A/W。其紫外(360nm)与可见光(420nm)的抑制比为4个数量级...
关键词：ZNO薄膜 MSM 光导紫外探测器 射频磁控溅射 
MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器被引量：2
《发光学报》2008年第5期865-868,共4页鞠振刚 张吉英 蒋大勇 单崇新 姚斌 申德振 吕有明 范希武 
国家重点基金(50532050);国家“973”计划(2008CB307105,2006CB604906);国家自然科学基金(60676059,60506014)资助项目
利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截...
关键词：MgZnO薄膜 太阳盲光电探测器 金属有机化学气相沉积 
太阳盲MgZnO光电探测器被引量：7
《发光学报》2008年第4期743-746,共4页蒋大勇 张吉英 单崇新 吕有明 赵延民 韩舜 姚斌 张振中 赵东旭 申德振 范希武 
国家重点基金(50532050);国家“973”计划(2008CB307105,2006CB604906);国家自然科学基金(60676059,60506014)资助项目
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。
关键词：MgZnO合金薄膜 太阳盲光电探测器 射频磁控溅射 
脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能被引量：9
《发光学报》2008年第3期486-490,共5页叶志高 朱丽萍 彭英姿 叶志镇 何海平 赵炳辉 
国家“973”计划(2006CB604906);国家自然科学基金(50532060,50772099)资助项目
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结...
关键词：氧化锌 磁性 CO掺杂 脉冲激光沉积 
在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜(英文)被引量：1
《发光学报》2008年第3期491-494,共4页简二梅 叶志镇 刘暐昌 何海平 顾修全 朱丽萍 赵炳辉 
国家"973"计划(2006CB604906);国家自然科学基金(50532060,90601003)资助项目~~
采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍...
关键词：P型导电 In-N共掺 直流反应磁控溅射法 ZNO薄膜 
衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响
《发光学报》2008年第3期499-502,共4页叶康 叶志镇 胡少华 赵炳辉 何海平 朱丽萍 
国家"973"计划(2006CB604906);国家自然科学基金(50532060;90601003)资助项目
利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征...
关键词：ZNMGO薄膜 Ga-N共掺杂 磁控溅射 衬底 
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