国家高技术研究发展计划(2003AA31G030)

作品数：6被引量：4H指数：1
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基于锗硅工艺的40-Gb／s分接器被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第2期276-280,共5页王贵 王志功 李伟 唐万春 
国家863计划项目支持(2003AA31G030)
采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺设计了一个1∶2分接器,核心电路单元采用经过改进的电路结构实现。由于传统的发射极耦合逻辑结构(ECL)电路的工作速度不能达到要求,对此加以了改进,在发射极耦合逻辑结构中增加一级射极跟随器,形成发射极-发...
关键词：分接器 锗硅 锁存器 缓冲器 发射极-发射极耦合逻辑 
39.5-GHz 0.2-μm PHEMT 2：1 Dynamic Frequency Divider
《Chinese Journal of Electronics》2007年第1期51-53,共3页DING Jingfeng WANG Zhigong QIU Yinghua ZHU En LI Wei 
A 39.SGHz 2：1 dynamic frequency divider Integrated circuit （IC） has been realized in a 0.2-μm gatelength AlGaAs/GaAs Pseudomorphic high electron mobility transistor （PHEMT） technology with an fT of about 60GHz. ...
关键词：Frequency divider LATCH GAAS CPW （Coplanar waveguides）. 
10Gb/s0.25m CMOS1∶4键合分接器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第3期340-344,384,共6页王贵 王志功 朱恩 丁敬峰 李伟 
国家863计划项目支持(2003AA31G030)
首先分析了1∶4分接器的树型结构及其主要特点。在此基础上,进一步探讨了树型结构中所用的1∶2分接器,并给出其中的锁存器电路结构。此外,还讨论了分频器电路及输入输出电路。最后分析了超高速键合电路并给出测试方案。测试结果表明,在...
关键词：光纤通信 分接器 键合 互补金属氧化物半导体 
基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第3期556-559,共4页仇应华 王志功 朱恩 冯军 熊明珍 夏春晓 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA31G030)~~
利用法国OMMIC公司的0·2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调...
关键词：压控振荡器 共面波导 容性耦合差动电流放大器 砷化镓 
12Gb/s 0.25μm CMOS Low-Power 1∶4 Demultiplexer
《Journal of Semiconductors》2006年第1期19-23,共5页丁敬峰 王志功 朱恩 章丽 王贵 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312230和2003AA31G030)~~
A low power 12Gb/s single-stage 1 ： 4 demultiplexer （DEMUX） applied in SONET OC-192 is realized in TSMC＇s mix-signal 0. 25μm CMOS. All of the circuits are in source coupled FET logic （SCFL） to achieve as high a...
关键词：DEMULTIPLEXER LATCH CMOS optical receiver 
27.5GHz 0.2μm PHEMT1∶4静态分频器
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1418-1423,共6页丁敬峰 王志功 杨守军 王贵 朱恩 熊明珍 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312230和2003AA31G030)~~
描述了一种能运用于未来光传输系统SONETOC768的超高速1∶4静态分频器,其工作频率超过27GHz.该电路采用栅长为0.2μm,截止频率约为60GHz的砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺制作,采用共面波导作为电感实现了宽带阻抗匹配.通过采用推拉...
关键词：分频器 锁存器 GAAS 共面波导 
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